비휘발성 SRAM(NVSRAM) 메모리 IC 4Mbit 병렬 100 ns 32-EDIP
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DS1250Y-100+

DigiKey 제품 번호
DS1250Y-100+-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
DS1250Y-100+
제품 요약
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
제조업체 표준 리드 타임
10주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
비휘발성 SRAM(NVSRAM) 메모리 IC 4Mbit 병렬 100 ns 32-EDIP
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
DS1250Y-100+ 모델
제품 특성
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Category
메모리 인터페이스
병렬
제조업체
쓰기 주기 시간 - 워드, 페이지
100ns
포장
튜브
접근 시간
100 ns
부품 현황
활성
전압 - 공급
4.5V ~ 5.5V
DigiKey 프로그래밍 가능
검증되지 않음
작동 온도
0°C ~ 70°C(TA)
메모리 유형
비휘발성
실장 유형
스루홀
메모리 형식
패키지/케이스
기술
비휘발성 SRAM(NVSRAM)
공급 장치 패키지
32-EDIP
메모리 크기
기준 제품 번호
메모리 구성
512K x 8
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(2)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
DS1250Y-100+Analog Devices Inc./Maxim Integrated1DS1250Y-100+-ND₩246,229.00000직접
DS1250Y-70+Analog Devices Inc./Maxim Integrated7DS1250Y-70+-ND₩245,739.00000직접
재고: 1
추가 입고 예정인 재고 확인
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
수량 단가 총액
1₩246,229.00000₩246,229
11₩225,949.72727₩2,485,447
33₩216,959.87879₩7,159,676
55₩212,871.78182₩11,707,948
제조업체 표준 포장
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.