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사용 가능한 대체품:

유사


IXYS
재고 있음: 240
단가 : ₩10,403.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 0
단가 : ₩2,098.59700
규격서

유사


Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 70
단가 : ₩6,504.00000
규격서
TO-220-3
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AOT8N65

DigiKey 제품 번호
AOT8N65-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
AOT8N65
제품 요약
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 8A(Tc) 208W(Tc) 스루홀 TO-220
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.15옴 @ 4A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
208W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-220
패키지/케이스
기준 제품 번호
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단종
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