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유사


Texas Instruments
재고 있음: 0
단가 : ₩1,436.00000
규격서

유사


Texas Instruments
재고 있음: 4,920
단가 : ₩3,073.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 1,399
단가 : ₩927.00000
규격서

유사


Panjit International Inc.
재고 있음: 2,293
단가 : ₩1,266.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 4,619
단가 : ₩1,112.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 2,572
단가 : ₩1,483.00000
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Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 2,908
단가 : ₩2,378.00000
규격서

유사


Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 4,761
단가 : ₩2,039.00000
규격서
N채널 30 V 12A(Ta), 12A(Tc) 3.1W(Ta), 20.5W(Tc) 표면 실장 8-DFN-EP(3x3)
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AON7506

DigiKey 제품 번호
AON7506-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
AON7506
제품 요약
MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 30 V 12A(Ta), 12A(Tc) 3.1W(Ta), 20.5W(Tc) 표면 실장 8-DFN-EP(3x3)
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
기존 설계 전용
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
9.8m옴 @ 12A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
2.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12.2 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
542 pF @ 15 V
FET 특징
-
내전력(최대)
3.1W(Ta), 20.5W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
8-DFN-EP(3x3)
패키지/케이스
기준 제품 번호
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테이프 및 릴(TR)
수량 단가 총액
5,000₩280.13880₩1,400,694
10,000₩258.21130₩2,582,113
15,000₩247.04013₩3,705,602
25,000₩234.48812₩5,862,203
35,000₩227.05680₩7,946,988
50,000₩219.83638₩10,991,819
제조업체 표준 포장