1,200V 이산 실리콘 카바이드 MOSFET

Wolfspeed 1,200V 이산 실리콘 카바이드 MOSFET으로 효율성 향상

1200V 이산 실리콘 카바이드 MOSFET 이미지 Wolfspeed 1,200V 실리콘 카바이드 MOSFET은 성능, 견고성 및 설계 용이성 측면에서 새로운 기준을 제시합니다. 매우 빠른 스위칭, 초저 스위칭 손실, 온도에 따른 안정적인 전도 손실은 기존 실리콘 MOSFET 및 IGBT에 비해 시스템 효율, 전력 밀도, 그리고 전반적인 BOM 비용을 크게 개선합니다. 이 제품은 무정전 전원 공급 장치(UPS), 모터 구동, 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS), 재생 에너지, EV 고속 충전기 등 고전력 응용 제품을 최적화하도록 설계되었습니다. 

1,200V SiC 쇼트키 다이오드와 결합된 이러한 MOSFET은 엄격한 요구 사항이 있는 응용 제품에서 더 높은 효율성을 위한 강력한 조합을 만들어냅니다. 사용자는 Wolfspeed SiC MOSFET SpeedVal™ Kit 모듈식 평가 플랫폼의 고속 동적 스위칭 성능을 평가하고 최적화할 수 있습니다.

특징
  • 전체 온도에서 낮은 RDS(ON)
  • 빠르고 견고한 내재적 실리콘 카바이드 바디 다이오드
  • 고온 작동: TJ = +175°C
 
  • 별도의 켈빈 소스 핀을 갖춘 새로운 패키지 옵션으로 제공
  • 방열판 요구 사항 감소
응용 분야
  • 에너지 스토리지
  • 태양광 인버터
  • EV 온보드 및 오프보드 충전기
 
  • UPS 및 모터 구동
  • EV HVAC 모터 구동
  • 보조 전원 공급 장치

1,200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

이미지제조업체 부품 번호제품 요약FET 유형기술드레인 - 소스 전압(Vdss)주문 가능 수량가격세부 정보 보기
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게시 날짜: 2025-01-17