SiHR080N60E E 계열 전력 MOSFET

통신, 산업 및 컴퓨팅 응용 분야에서 더 높은 효율과 출력 밀도를 제공하기 위해 Vishay는 상단 냉각 PowerPAK^® 8 x 8LR 패키지에 4세대 600V E 계열 전력 MOSFET을 제공합니다. N채널 SiHR080N60E는 이전 세대 장치애 비해 N채널 SiHR080N60E는 온스테이트 저항을 27% 줄이고, 전력 변환 응용 제품에 사용되는 600V MOSFET의 핵심 성능 지수(FOM)인 저항 시간 게이트 전하를 60% 줄이면서 D²PAK 패키지의 장치보다 더 작은 실장 면적에서 더 높은 전류를 제공합니다. SiHR080N60E의 10.42mm x 8mm x 1.65mm 상단 냉각 PowerPAK 8 x 8LR 패키지는 D²PAK보다 50.8% 더 작은 실장 면적과 66% 더 낮은 높이를 제공합니다.

상단 냉각 덕분에 이 패키지는 +0.25°C/W의 매우 낮은 접합부 케이스 간 열 저항으로 뛰어난 열 성능을 제공합니다. 이는 동일한 온스테이트 저항 수준에서 D²PAK보다 46% 더 높은 전류를 허용하며 출력 밀도를 대폭 높일 수 있습니다. 또한 SiHR080N60E의 업계 최저 3.1Ω*nC 온스테이트 저항 시간 게이트 전하 FOM은 전도 및 스위칭 손실을 줄여 2kW 이상의 전력 시스템에서 에너지를 절약하고 효율을 높입니다.

MOSFET의 낮은 일반 유효 출력 정전 용량(C_o(er) 및 C_o(tr)) 79pF 및 499pF는 역률 보정(PFC), 하프브리지 및 2스위치 순방향 설계와 같은 하드 스위치 토폴로지에서 각각 스위칭 성능을 향상시킵니다. Vishay는 첨단 장비에 전력을 공급하는 데 필요한 고전압 입력부터 저전압 출력까지 전력 변환 공정의 모든 단계를 지원하는 광범위한 MOSFET 기술 라인을 제공합니다. Vishay는 4세대 600V E 계열 제품군의 SiHR080N60E 및 기타 장치를 통해 전력 시스템 아키텍처의 첫 번째 단계 중 두 가지인 PFC 및 후속 DC/DC 컨버터 블록에서 효율 및 전력 출도 개선에 대한 요구 사항을 해결합니다.