4세대 E/EF 계열 MOSFET
스위칭 및 전도 손실이 감소된 Vishay의 MOSFET
PowerPAK 패키지 기술이 적용된
Vishay의 4세대 4 600V 및 650V 초접합 MOSFET은 Qrr를 10배 감소하여 교량 기술의 강한 정류를 방지합니다. 또한 충전/방전 시간에서 Co(ter)를 줄여서 최적화된 ZVS 작동을 달성합니다. 낮은 RDS(ON) x Qg FOM은 엔지니어가 출력 밀도와 시스템 효율성을 높이는 데 도움이 됩니다.
- 4세대 E/EF 계열 기술
- 낮은 FOM RON x Qg
- 낮은 유효 정전 용량(Co(er))
- 스위칭 및 전도 손실 감소
- 애벌런치 에너지 정격(UIS)
- 게이트 잡음 감소를 위한 켈빈 연결
- 서버 및 전기 통신 전원 공급 장치
- 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS)
- 역률 보정(PFC) 전원 공급 장치
- 조명
- 고강도 방전(HID)
- 형광 밸러스트 조명
- 산업용 제품
- 용접
- 유도 가열
- 모터 구동기
- 배터리 충전기
- 태양광(PV 인버터)
Fourth-Generation E/EF Series MOSFETs
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | Rds On(최대) @ Id, Vgs | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | SIHH085N60EF-T1GE3 | EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST | 30A(Tc) | 85m옴 @ 17A, 10V | 5635 - 즉시 | $13,484.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | SIHH080N60E-T1-GE3 | E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8 | 32A(Tc) | 80m옴 @ 17A, 10V | 578 - 즉시 | $9,158.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | SIHH068N60E-T1-GE3 | MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8 | 34A(Tc) | 68m옴 @ 15A, 10V | 12 - 즉시 | $15,073.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | SIHH070N60EF-T1GE3 | MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8 | 36A(Tc) | 71m옴 @ 15A, 10V | 2930 - 즉시 | $14,656.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | SIHR080N60E-T1-GE3 | E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8 | 51A(Tc) | 84m옴 @ 17A, 10V | 1967 - 즉시 | $11,573.00 | 세부 정보 보기 |


