4세대 E/EF 계열 MOSFET

스위칭 및 전도 손실이 감소된 Vishay의 MOSFET

PowerPAK 패키지 기술이 적용된 Vishay Siliconix의 4세대 600V E/EF 계열 MOSFET 이미지Vishay의 4세대 4 600V 및 650V 초접합 MOSFET은 Qrr를 10배 감소하여 교량 기술의 강한 정류를 방지합니다. 또한 충전/방전 시간에서 Co(ter)를 줄여서 최적화된 ZVS 작동을 달성합니다. 낮은 RDS(ON) x Qg FOM은 엔지니어가 출력 밀도와 시스템 효율성을 높이는 데 도움이 됩니다.

특징
  • 4세대 E/EF 계열 기술
  • 낮은 FOM RON x Qg
  • 낮은 유효 정전 용량(Co(er))
  • 스위칭 및 전도 손실 감소
  • 애벌런치 에너지 정격(UIS)
  • 게이트 잡음 감소를 위한 켈빈 연결
응용 분야
  • 서버 및 전기 통신 전원 공급 장치
  • 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS)
  • 역률 보정(PFC) 전원 공급 장치
  • 조명
  • 고강도 방전(HID)
  • 형광 밸러스트 조명
  • 산업용 제품
  • 용접
  • 유도 가열
  • 모터 구동기
  • 배터리 충전기
  • 태양광(PV 인버터)

Fourth-Generation E/EF Series MOSFETs

이미지제조업체 부품 번호제품 요약전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°CRds On(최대) @ Id, Vgs주문 가능 수량가격세부 정보 보기
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게시 날짜: 2019-01-31