VS-SF50xA120/VS-SFxx0SA120 전력 모듈

SiC 기술을 적용하여 기존 중고주파 설계에서 전력 효율을 향상하도록 설계된 Vishay Semiconductor Diodes의 전력 모듈

Vishay Semi Diodes 1,200V SiC MOSFET 전력 모듈 이미지Vishay Semiconductor Diodes의 VS-SF50xA120 및 VS-SFxx0SA120 전력 모듈은 중고주파 응용 제품의 전력 효율을 향상하도록 설계되었습니다. 이러한 제품은 단일 스위치 및 로우사이드 초퍼 구성으로 제공됩니다. 각 전력 모듈에는 역회복이 낮은 소프트 바디 다이오드가 통합된 SiC MOSFET이 탑재되어 있습니다. 그 결과 스위칭 손실은 줄어들고 효율성은 높아집니다. 콤팩트한 SOT-227 패키지 덕분에 기존 설계에서 경쟁 제품을 대체하여 바로 사용할 수 있으므로, 설계자는 PCB 레이아웃을 변경하는 비용 부담 없이 SiC 기술을 도입할 수 있습니다. 또한 이 성형 패키지는 최대 2,500V의 전압에서 1분 동안 전기 절연을 제공하여 부품과 방열판 사이에 추가 절연재가 필요하지 않으므로 비용을 절감할 수 있습니다.

특징
  • 산업 표준 SOT-227 패키지
  • 단일 스위치 및 로우사이드 초퍼 구성으로 제공됨
  • 통합
    • SiC MOSFET
    • 낮은 역회복 특성을 제공하는 소프트 바디 다이오드
  • 최대 2,500V 전압에서 1분간 전기 절연
 
  • 50A ~ 200A의 연속 드레인 전류
  • 최저 12.1mΩ의 낮은 온스테이트 저항
  • 낮은 정전 용량으로 고속 스위칭
  • +175°C의 최대 작동 접합 온도
  • RoHS 준수
응용 분야
  • 태양광 인버터
  • 전기 자동차(EV)용 온보드 충전기
  • SMPS
  • DC/DC 컨버터
 
  • UPS
  • HVAC 시스템
  • 대규모 배터리 저장 시스템
  • 전기 통신 전원 공급 장치

VS-SF50xA120 and VS-SFxx0SA120 Power Modules

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게시 날짜: 2026-01-29