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차세대 전력 설계를 제공하는 4세대 750V SiC FET

소프트 및 하드 스위치 전원 응용 제품을 위한 업계 최고의 “성능”을 제공하는 onsemi의 4세대 750V SiC FET

Image of Qorvo's Gen 4 750 V SiC FETs Delivers Next-Generation Power Designs고유한 캐스코드 구성 기반의 onsemi의 UJ4C/SC 4세대 SiC FET 계열은 정격 750V로 정격되었으며 6mΩ ~ 60mΩ 옵션으로 제공됩니다. 이러한 장치는 전도 손실을 줄이고 고속에서 효율성을 높이면서 전반적인 비용 효율을 개선하는 우수한 성능 수치를 제공합니다. 모든 지정된 RDS(on)에서의 Eon 및 Eoff 손실과 마찬가지로 스위칭 성능 및 Qrr도 향상되었습니다. 또한 Eoss 및 Coss에서 감소된 수준은 낮은 총 손실을 제공합니다. 이러한 장치는 표준 0V ~ 12V 또는 15V 게이트 구동 전압으로 안전하게 구동할 수 있습니다. 진정한 5V 임계 전압으로 우수한 임계 잡음 마진이 유지되며 이전 세대와 마찬가지로 이러한 SiC FET는 모든 일반적인 Si IGBT, Si MOSFET 및 SiC MOSFET 구동 전압에서 작동할 수 있습니다. 또한 내장 ESD 게이트 보호 클램프가 포함되어 있습니다. 많은 장치가 AEC-Q101 인증을 획득했습니다.

특징
  • 6mΩ ~ 60mΩ의 낮은 RDS(on)
  • 주요 성능 수치로 차세대 고성능 전력 설계 가능
    • 우수한 RDS(on) x 영역
    • 지정된 RDS(on)에서 Qrr 및 Eon/Eoff 손실 향상
    • Coss(er)/Eoss 및 Coss(tr) 감소
  • 5µs 단락 저항 시간 @ 6mΩ
  • 5V VTH, ±20V VGS(max), ESD 보호
 
  • 표준(0V ~ 12V) 또는 SiC FET 게이트 구동(양극)
  • 우수한 역회복
  • 낮은 바디 다이오드
  • 낮은 게이트 전하
  • TO247-3L, TO247-4L 및 D2PAK-7L 산업 표준 패키지
  • AEC-Q101 인증을 획득한 많은 장치
응용 분야
  • 자동차: 트랙션 인버터, 기판 실장형 충전기, DC/DC 컨버터
  • IT 인프라: PFC, DC/DC 컨버터
 
  • 재생 에너지: 태양광 인버터, 에너지 저장

Gen 4 750 V SiC FETs

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격세부 정보 보기
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업데이트: 2025-03-06
게시 날짜: 2021-02-02

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