실리콘 카바이드(SiC) 캐스코드 JFET

ONSemi JFET는 스루홀 및 표면 실장 패키지로 제공됩니다.

ONSemi SiC 캐스코드 JFET 이미지 ONSemi 고성능 SiC 캐스코드 JFET는 뛰어난 스위칭 속도, 낮은 스위칭 손실, 더 높은 효율성을 제공합니다. 이 제품은 높은 스위칭 주파수를 제공하고 단 5mΩ에서 시작하는 매우 낮은 온 저항(RDS(ON))을 제공하며, 다른 기술에 비해 다이 크기가 절반 이하로 줄었습니다. JFET는 표준 스루홀(켈빈 포함) 및 표면 실장 패키지로 제공되어 뛰어난 비용 효율성을 제공합니다. 이러한 장치는 고성능 SiC 고속 JFET와 캐스코드 최적화된 Si MOSFET을 통합한 고유한 캐스코드 구성을 활용합니다. 이 혁신적인 접근 방식을 통해 SiC 장치에 대한 표준 게이트 구동(0~12V)이 가능해졌습니다. SiC 캐스코드 JFET는 다이 크기가 작고 기존 드라이버 솔루션과 호환되므로 최적화된 시스템 성능과 비용 구조를 제공합니다.

특징
  • 초저 RDS(ON)
  • 최대 작동 온도: +175°C
  • 우수한 역회복
  • 낮은 게이트 전하
응용 분야
  • EV 충전
  • PV 인버터
  • 역률 보정 장치
  • 모터 구동
  • 유도 가열

Silicon Carbide (SiC) Cascode JFETs

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게시 날짜: 2025-07-25