TP65H050WS/TP65H035WS 3세대(Gen III) 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET)

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            TP65H050WS/TP65H035WS 3세대(Gen III) 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET)
  
                    전자기 간섭(EMI)를 줄이고 잡음 내성을 향상시켜 스위칭 잡음을 줄인 Transphorm의 GaN FET

Transphorm의 TP65H050WS/TP65H035WS GaN FET 이미지 Transphorm의 TP65H050WS 및 TP65H035WS는 Gen III 650V GaN FET입니다. 이 제품은 EMI를 낮추고 게이트 잡음 내성을 향상시키며 회로 응용 제품의 헤드룸을 증가합니다. 50mΩ TP65H050WS 및 35mΩ TP65H035WS는 표준 TO-247 패키지로 제공됩니다.

MOSFET 및 설계 수정을 통해 Gen III 장치는 2.1V(Gen II)에서 4V로 향상된 임계 전압(잡음 내성)을 제공하므로 네거티브 게이트 구동의 필요성을 제거합니다. 게이트 신뢰성은 Gen II에 비해 11% 향상되어 ±20V를 달성했습니다. 따라서 스위칭 잡음이 감소되었으며 플랫폼은 간단한 외부 회로망을 사용하여 더 높은 전류 레벨에서 성능 향상을 제공합니다.

Seasonic Electronics Company의 1600T는 배터리 충전기(전자 스쿠터, 산업 등), PC 전력, 서버, 게임 시장에서 이러한 고전압 GaN FET를 사용하여 99% 역률 보정(PFC) 효율을 제공하는 1600W, 브리지리스 토템폴 플랫폼입니다. 실리콘 기반 플랫폼 1600T에서 이러한 FET를 사용하면 효율이 2% 향상되고 전력 밀도가 20% 향상되는 등의 이점이 제공됩니다.

1600T 플랫폼은 Transphorm의 TP65H035WS를 사용하여 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 회로에서 향상된 효율을 달성하며 사용자에게 전력 시스템 제품 설계 시 사용할 수 있는 옵션을 제공합니다. TP65H035WS는 설계를 간소화하기 위해 공통적으로 사용되는 게이트 구동기와 쌍을 이룹니다.

특징

JEDEC 인증 GaN 기술
견고한 설계:
- 자체 수명 테스트
- 넓은 게이트 안전 마진
- 과도 과전압 성능

동적 R_DS(on)eff생산 테스트를 거침
매우 낮은 Q_RR
감소된 크로스오버 손실
RoHS 준수 및 무할로겐 패키징

이점

교류/직류(AC/DC) 브리지리스 토템폴 PFC 설계 실현
- 향상된 출력 밀도
- 시스템 크기 및 무게 감소

Si에 비해 효율/작동 주파수 향상
일반적으로 사용되는 게이트 구동기로 손쉽게 구동할 수 있음
GSD 핀 레이아웃은 고속 설계를 향상시킴

응용 분야

데이터 통신
광범위한 산업

PV 인버터
서보 모터

TP65H050WS and TP65H035WS GaN FETs

	이미지	제조업체 부품 번호	제품 요약	구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(th)(최대) @ Id	주문 가능 수량	가격	세부 정보 보기
		TP65H050WS	GANFET N-CH 650V 34A TO247-3	12V	60m옴 @ 22A, 10V	4.8V @ 700µA	450 - 즉시	$27,919.00	세부 정보 보기
		TP65H035WS	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3	12V	41m옴 @ 30A, 10V	4.8V @ 1mA	0 - 즉시	$32,845.00	세부 정보 보기

Evaluation Boards

	이미지	제조업체 부품 번호	제품 요약	출력 및 유형	전압 - 출력	전류 - 출력	주문 가능 수량	가격	세부 정보 보기
		TDTTP4000W066B-KIT	EVAL BOARD FOR TP65H035WS	1개 비분리형 출력	390V	15A	0 - 즉시	See Page for Pricing	세부 정보 보기
		TDINV3000W050-KIT	EVAL BOARD FOR TP65H050WS	1개 비분리형 출력	-	22A	0 - 즉시	See Page for Pricing	세부 정보 보기

게시 날짜: 2018-11-15

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