설계 관련 자료

Transphorm은 고전압 전력 변환 응용 제품을 위한 최고의 성능, 최고의 신뢰성을 지닌 GaN 장치를 통해 GaN 혁신을 주도하고 있습니다. GaN 응용 제품 설계에 도움이 될 다양한 도구 및 관련 자료가 제공됩니다.

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부품 번호 제품 요약 세부 정보 보기
TDTTP2500P100-KIT-ND 2.5KW TOTEM-POLE PFC 평가 키트 세부 정보 보기
TDTTP4000W066B-KIT-ND 4KW TOTEM-POLE PFC 평가 키트 세부 정보 보기
TDINV1000P100-KIT-ND 1KW 인버터 평가 키트 세부 정보 보기
TDINV3000W050-KIT 3.0KW 인버터 평가 키트 세부 정보 보기
TDINV3500P100-KIT-ND 3.5KW 인버터 평가 키트 세부 정보 보기
TDHBG2500P100-KIT-ND 2.5KW HB, 벅 또는 부스트 평가 키트 세부 정보 보기

GaN을 활용한 설계와 관련된 다양한 주제를 자세히 다루는 기술 백서를 검토해 보십시오.

 

 

Barr, R., Haller, J., Shono, K., Georgieva, E., McKay, J., Smith, P., Smith, K., Rakesh, L., Yifeng, Y., High Voltage GaN Switch Reliability, 2018년 11월

Parikh, Primit; Smith, Kurt; Barr, Ronald; et al., 650 Volt GaN Commercialization Reaches Automotive Standards, ECS Transactions, 2017년 9월

Parikh, Primit, Driving the Adoption of High Voltage Gallium Nitride Field-Effect Transistors [Expert View], IEEE Power Electronics Magazine, 2017년 9월

Huang, Zan; Cuadra, Jason, Preventing GaN Device VHF Oscillation, APEC 2017 산업 세션, 2017년 3월

Zuk, Philip; Campeau, Gaetan, How to Design with GaN in Under an Hour, APEC 2017 참가 업체 세션, 2017년 3월

Smith, Kurt; Barr, Ronald, Reliability Lifecycle of GaN Power Devices, 백서, 2017년 3월

Wang, Zhan; Wu, Yifeng, 99% Efficiency True-Bridgeless Totem-Pole PFC Based on GaN HEMTs

Wang, Zhan; Honea, Jim; Wu, Yifeng, Design and Implementation of a High-efficiency Three-level Inverter Using GaN HEMTs, 2015년 5월(IEEE 액세스 필요)

Zhou, Liang; Wu, Yifeng; Honea, Jim; Wang, Zhan, High-efficiency True Bridgeless Totem Pole PFC based on GaN HEMT: Design Challenges and Cost-effective Solutions, 2015년 5월(IEEE 액세스 필요)

Wang, Zhan; Wu, Yifeng; Honea, Jim; Zhou, Liang, Paralleling GaN HEMTs for diode-free bridge power converters, 2015년 3월

Kikkawa, T., et al, 600V JEDEC-qualified Highly-reliable GaN HEMTs on Si Substrates, 2014년 12월(IEEE 액세스 필요)

Wu, Yifeng; Guerrero, Jose; McKay, Jim; Smith, Kurt, Advances in reliability and operation space of high-voltage GaN power devices on Si substrates, 2014년 10월(IEEE 액세스 필요)

Wang, Zhan; Honea, Jim; Yuxiang Shi; Hui Li, Investigation of driver circuits for GaN HEMTs in leaded packages, 2014년 10월

Wu, Y.; Gritters, J.; Shen, L.; Smith, R.P.; Swenson, B., kV-class GaN-on-Si HEMTs Enabling 99% Efficiency Converter at 800V and 100kHz, 2014년 6월(IEEE 액세스 필요)

Wu, Y., Gritters, J., Shen, L., Smith, R.P., McKay, J., Barr, R., Birkhahn, R., Performance and Robustness of First Generation 600V GaN-on-Si Power Transistors, 2013년 10월(IEEE 액세스 필요)

Parikh, Primit, Wu, Yifeng, Shen, Likun, Commercialization of High 600V GaN-on-Silicon Power Devices, 2013년 5월(IEEE 액세스 필요)

Wu, Yifeng, GaN Offers Advantages to Future HEV, 2013년 3월

Wu, Y., Kebort, D., Guerrero, J., Yea, S., Honea, J., Shirabe, K., Kang, J., High-Frequency, GaN Diode-Free Motor Drive Inverter with Pure Sine Wave Output, 2012년 10월

Shirabe, Kohei, Swamy, Mahesh, Kang, Jun-Koo, Hisatsune, Masaki, Wu, Yifeng, Kebort, Don, Honea, Jim, Advantages of High-frequency PWM in AC Motor Drive Applications, 2012년 9월(IEEE 액세스 필요)

Wu, Y., Coffie, R., Fichtenbaum, N., Dora, Y., Suh, C.S., Shen, L., Parikh, P., Mishra, U.K., Total GaN solution to electrical power conversion, 2011년 6월(IEEE 액세스 필요)

교육

 

Transphorm 캐스코드와 e-모드 비교

캐스코드와 e-모드 스파이더 차트

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