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UMOS 11 저전압 MOSFET
효율적인 스위칭, 낮은 손실 및 스마트한 설계를 제공하는 Toshiba의 UMOS11 저전압 MOSFET
Toshiba의 저전압 UMOS-11 공정은 엔지니어가 전력 효율, 콤팩트한 설계 및 안정적인 스위칭 성능에 대해 증가하는 요구를 충족할 수 있도록 설계되었습니다.
개선된 트렌치 구조를 기반으로 하는 UMOS 11은 낮은 RDS(on), 감소된 Qoss, QRR 및 전반적으로 우수한 스위칭 행동을 제공합니다. 이는 DC DC 컨버터와 모터 구동부터 서버 전원 공급 장치 및 기타 스위칭 전원 장치에 이르는 광범위한 응용 분야에 매우 적합합니다.
이 공정은 5mm x 6mm 및 3mm x 3mm 패키지에서 40V ~ 100V까지 다양한 전압과 패키지를 처리합니다.
특징
- 해당 제품군의 최저 온스테이트 저항 0.52mΩ(최대) (VGS=10V)
- 낮은 RDS(ON) x QOSS 및 낮은 RDS(ON) x QRR
- 스위치 모드 전원 공급 장치의 고효율성
- 안정적인 작동을 위한 엄격한 임계 전압
- 고속 다이오드 내장으로 역회복 손실 개선
- 최대 +175°C의 고온 작동
응용 분야
- DC/DC 컨버터
- 스위칭 전원 공급 장치(데이터 센터 서버, 통신 장비 등)
- 모터 제어
- 부하 스위칭
관련 자료
UMOS 11 Low Voltage MOSFETs
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TPH2R70AR5,LQ | N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1 | 13551 - 즉시 | $4,015.00 | 세부 정보 보기 |
| | TPHR6704RL,LQ | N-CH MOSFET 40V 0.00067OHM SOP A | 9953 - 즉시 | $5,748.00 | 세부 정보 보기 |
게시 날짜: 2025-09-26
대한민국