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TRSxxx65H 쇼트키 배리어 다이오드
산업 장비용으로 설계된 Toshiba 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)
Toshiba 산업 장비용 TRSxxx65H 계열 SiC SBD는 접합 장벽 쇼트키(JBS) 구조를 최적화한 3세대 SiC SBD 칩을 사용합니다. 이들 장치는 이전 세대의 1.45V(통상)보다 17% 낮은 1.2V(통상)의 매우 낮은 순방향 전압을 달성합니다. 또한 순방향 전압과 전체 용량성 전하 간, 순방향 전압과 역방향 전류 간의 균형을 개선하여 전력 소모를 줄이고 장비의 효율성을 향상시킵니다. 제품은 TO-220-2L 패키지로 제공되며 5개는 DFN8×8 패키지로 제공됩니다.
특징
- 낮은 순방향 전압: VF= 1.2V(통상) (IF= IF(DC))
- 낮은 역전류: TRS6E65H IR = 1.1µA(통상) (VR = 650V)
- 낮은 총 용량 충전: TRS6E65H QC = 17 nC(통상) (VR= 400V, f = 1MHz)
응용 분야
- 스위칭 전원 공급 장치
- 전기차 충전소
- 광발전 인버터
TRSxxx65H Schottky Barrier Diodes
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TRS2E65H,S1Q | DIODE SIL CARBIDE 650V 2A TO220L | 0 - 즉시 | $3,961.00 | 세부 정보 보기 |
| | TRS4E65H,S1Q | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L | 11 - 즉시 | $4,111.00 | 세부 정보 보기 |
| | TRS3E65H,S1Q | DIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220L | 0 - 즉시 | $3,283.00 | 세부 정보 보기 |
| | TRS6E65H,S1Q | DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220L | 180 - 즉시 | $4,789.00 | 세부 정보 보기 |
| | TRS8E65H,S1Q | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L | 313 - 즉시 | $5,090.00 | 세부 정보 보기 |
|  | TRS6V65H,LQ | DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEP | 4417 - 즉시 | $4,458.00 | 세부 정보 보기 |
| | TRS10E65H,S1Q | DIODE SIL CARB 650V 10A TO220L | 116 - 즉시 | $6,400.00 | 세부 정보 보기 |
| | TRS8V65H,LQ | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP | 4487 - 즉시 | $5,135.00 | 세부 정보 보기 |
| | TRS12E65H,S1Q | DIODE SIL CARB 650V 12A TO220L | 17 - 즉시 | $4,141.00 | 세부 정보 보기 |
| | TRS10V65H,LQ | DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP | 3320 - 즉시 | $5,903.00 | 세부 정보 보기 |
| | TRS12V65H,LQ | DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP | 3817 - 즉시 | $6,581.00 | 세부 정보 보기 |
게시 날짜: 2024-08-23
대한민국