Name: TRS4E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS4E65H,S1Q-ND
Price: 4111 KRW
Availability: InStock

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TRS4E65H,S1Q
DigiKey 제품 번호	264-TRS4E65H,S1Q-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TRS4E65H,S1Q
제품 요약	DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L
제조업체 표준 리드 타임	24주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	다이오드 650 V 4A 스루홀 TO-220-2L
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	-
포장	튜브
부품 현황	활성
기술	SiC(Silicon Carbide) Schottky
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	650 V
전류 - 평균 정류(Io)	4A
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	1.35 V @ 4 A
역회복 시간(trr)	0 ns
전류 - 역누설 @ Vr	55 µA @ 650 V
정전 용량 @ Vr, F	263pF @ 1V, 1MHz
실장 유형	스루홀
패키지/케이스	TO-220-2
공급 장치 패키지	TO-220-2L
작동 온도 - 접합	175°C