Name: TRS4E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS4E65H,S1Q-ND
Price: 5137 KRW
Availability: InStock

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TRS4E65H,S1Q
DigiKey 제품 번호	264-TRS4E65H,S1Q-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TRS4E65H,S1Q
제품 요약	DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L
제조업체 표준 리드 타임	24주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	다이오드 650 V 4A 스루홀 TO-220-2L
규격서	규격서

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드	속도 제로 회복 시간 > 500mA(Io)
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	역회복 시간(trr) 0 ns
포장 튜브	전류 - 역누설 @ Vr 55 µA @ 650 V
부품 현황 활성	정전 용량 @ Vr, F 263pF @ 1V, 1MHz
기술 SiC(Silicon Carbide) Schottky	실장 유형 스루홀
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 650 V	패키지/케이스 TO-220-2
전류 - 평균 정류(Io) 4A	공급 장치 패키지 TO-220-2L
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 1.35 V @ 4 A	작동 온도 - 접합 175°C

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