선형 및 논리 솔루션

소형 논리

Texas Instruments(TI)의 소형 논리 장치는 설계 퍼즐을 완성하고 오늘날 시장에서 성공할 수 있도록 지원하는 제품입니다.

• 제품 소형화, 출시 기간 단축
• 폭넓은 선택, 원스톱 선택
• 항상 모든 제품 주문 가능
• 제품 향상, 고객 중심

SN74AUP1G06DRYR

개방 드레인 출력을 갖춘 저전력 단일 인버터 버퍼/구동기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoStar™ 패키지로 제공
• 낮은 정적 전력 소비(I_CC = 최대 0.9µA)
• 낮은 작동 전력 소비(C_pd = 통상 1pF(3.3V 기준))
• 낮은 입력 정전 용량(C_i = 통상 1.5pF)
• 낮은 잡음 - 오버슈트 및 언더슈트가 V_CC의 10% 미만임
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• 입력 히스테리시스를 통해 느린 입력 전이와 입력에서 향상된 스위칭 잡음 내성 허용(V_hys = 통상 250mV(3.3V 기준))
• 넓은 작동 V_CC 범위(0.8V ~ 3.6V)
• 3.3V 작동에 최적화됨
• 혼합 모드 신호 작동을 지원하는 3.6V I/O 허용 오차 범위
• t_pd = 최대 3.6ns(3.3V 기준)
• 지점 간 응용 제품에 적합
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델(A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74AUP1G07DRYR

개방 드레인 출력을 갖춘 저전력 단일 버퍼/구동기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoStar™ 패키지로 제공
• 낮은 정적 전력 소비(I_CC = 최대 0.9µ)
• 낮은 작동 전력 소비(C_pd = 통상 1pF(3.3V 기준))
• 낮은 입력 정전 용량(C_i = 통상 1.5pF)
• 낮은 잡음 - 오버슈트 및 언더슈트가 V_CC의 10% 미만임
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• 입력 히스테리시스를 통해 느린 입력 전이와 입력에서 향상된 스위칭 잡음 내성 허용(V_hys = 통상 250mV(3.3V 기준))
• 넓은 작동 V_CC 범위(0.8V ~ 3.6V)
• 3.3V 작동에 최적화됨
• 혼합 모드 신호 작동을 지원하는 3.6V I/O 허용 오차 범위
• t_pd = 최대 3.3ns(3.3V 기준)
• 지점 간 응용 제품에 적합
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델(A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74AUP1G80DRYR

저전력 단일 포지티브 에지 트리거 D 유형 플립 플롭

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoStar™ 패키지로 제공
• 낮은 정적 전력 소비(I_CC = 최대 0.9µA)
• 낮은 작동 전력 소비(C_pd = 통상 4.3pF(3.3V 기준))
• 낮은 입력 정전 용량(C_i = 통상 1.5pF)
• 낮은 잡음 - 오버슈트 및 언더슈트가 V_CC의 10% 미만임
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• 슈미트 트리거 작동을 통해 느린 입력 전이와 입력에서 향상된 스위칭 잡음 내성 허용(Vhys = 통상 250mV(3.3V 기준))
• 넓은 작동 V_CC 범위(0.8V ~ 3.6V)
• 3.3V 작동에 최적화됨
• 혼합 모드 신호 작동을 지원하는 3.6V I/O 허용 오차 범위
• t_pd = 최대 4.4ns(3.3V 기준)
• 지점 간 응용 제품에 적합
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델(A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74AUP1G00DSFR

저전력 단일 2입력 포지티브 NAND 게이트

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoStar™ 패키지로 제공
• 낮은 정적 전력 소비(I_CC = 최대 0.9µA)
• 낮은 작동 전력 소비(C_pd = 통상 4pF(3.3V 기준))
• 낮은 입력 정전 용량(C_i = 통상 1.5pF)
• 낮은 잡음 - 오버슈트 및 언더슈트가 V_CC의 10% 미만임
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• 입력 히스테리시스를 통해 느린 입력 전이와 입력에서 향상된 스위칭 잡음 내성 허용(V_hys = 통상 250mV(3.3V 기준))
• 넓은 작동 V_CC 범위(0.8V ~ 3.6V)
• 3.3V 작동에 최적화됨
• 혼합 모드 신호 작동을 지원하는 3.6V I/O 허용 오차 범위
• t_pd = 최대 4.8ns(3.3V 기준)
• 지점 간 응용 제품에 적합
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델(A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74AUP1G02DSFR

저전력 단일 2입력 포지티브 NOR 게이트

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoStar™ 패키지로 제공
• 낮은 정적 전력 소비(I_CC = 최대 0.9µA)
• 낮은 작동 전력 소비(C_pd = 통상 4.3pF(3.3V 기준))
• 낮은 입력 정전 용량(C_i = 통상 1.5pF)
• 낮은 잡음 - 오버슈트 및 언더슈트가 V_CC의 10% 미만임
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• 입력 히스테리시스를 통해 느린 입력 전이와 입력에서 향상된 스위칭 잡음 내성 허용(V_hys = 통상 250mV(3.3V 기준))
• 넓은 작동 V_CC 범위(0.8V ~ 3.6V)
• 3.3V 작동에 최적화됨
• 혼합 모드 신호 작동을 지원하는 3.6V I/O 허용 오차 범위
• t_pd = 최대 4.6ns(3.3V 기준)
• 지점 간 응용 제품에 적합
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델(A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74AUP1G07DSFR

개방 드레인 출력을 갖춘 저전력 단일 버퍼/구동기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoStar™ 패키지로 제공
• 낮은 정적 전력 소비(I_CC = 최대 0.9µ)
• 낮은 작동 전력 소비(C_pd = 통상 1pF(3.3V 기준))
• 낮은 입력 정전 용량(C_i = 통상 1.5pF)
• 낮은 잡음 - 오버슈트 및 언더슈트가 V_CC의 10% 미만임
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• 입력 히스테리시스를 통해 느린 입력 전이와 입력에서 향상된 스위칭 잡음 내성 허용(V_hys = 통상 250mV(3.3V 기준))
• 넓은 작동 V_CC 범위(0.8V ~ 3.6V)
• 3.3V 작동에 최적화됨
• 혼합 모드 신호 작동을 지원하는 3.6V I/O 허용 오차 범위
• t_pd = 최대 3.3ns(3.3V 기준)
• 지점 간 응용 제품에 적합
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델(A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74AUP1G32

저전력 단일 2입력 포지티브 OR 게이트

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoStar™ 패키지로 제공
• 낮은 정적 전력 소비(I_CC = 최대 0.9µA)
• 낮은 작동 전력 소비(C_pd = 통상 4.3pF(3.3V 기준))
• 낮은 입력 정전 용량(C_I = 통상 1.5pF)
• 낮은 잡음 - 오버슈트 및 언더슈트가 V_CC의 10% 미만임
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• 입력 히스테리시스를 통해 느린 입력 전이와 입력에서 향상된 스위칭 잡음 내성 허용(V_hys = 통상 250mV(3.3V 기준))
• 넓은 작동 V_CC 범위(0.8V ~ 3.6V)
• 3.3V 작동에 최적화됨
• 혼합 모드 신호 작동을 지원하는 3.6V I/O 허용 오차 범위
• t_pd = 최대 4.6ns(3.3V 기준)
• 지점 간 응용 제품에 적합
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델(A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74AUP1G74

저전력 단일 포지티브 에지 트리거 D 유형 플립 플롭

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoStar™ 패키지로 제공
• 낮은 정적 전력 소비: I_CC = 최대 0.9µA
• 낮은 작동 전력 소비: C_pd = 통상 5.5pF(3.3V 기준))
• 낮은 입력 정전 용량: C_i = 통상 1.5pF
• 낮은 잡음 - 오버슈트 및 언더슈트가 V_CC의 10% 미만임
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• 슈미트 트리거 작동을 통해 느린 입력 전이와 입력에서 향상된 스위칭 잡음 내성 허용(V_hys = 통상 250mV(3.3V 기준))
• 넓은 작동 V_CC 범위(0.8V ~ 3.6V)
• 3.3V 작동에 최적화됨
• 혼합 모드 신호 작동을 지원하는 3.6V I/O 허용 오차 범위
• t_pd = 최대 5ns(3.3V 기준)
• 지점 간 응용 제품에 적합
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델(A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74AUP1G79

저전력 단일 포지티브 에지 트리거 D 유형 플립 플롭

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoStar™ 패키지로 제공
• 낮은 정적 전력 소비:
  I_CC = 최대 0.9µA
• 낮은 작동 전력 소비:
  C_pd = 통상 3pF(3.3V 기준)
• 낮은 입력 정전 용량:
  C_i = 통상 1.5pF
• 낮은 잡음 - 오버슈트 및 언더슈트가 V_CC의
  10% 미만임
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• 입력 히스테리시스를 통해 느린 입력 전이와 입력에서 향상된
  스위칭 잡음 내성 허용(V_hys = 통상 250mV(3.3V 기준))
• 넓은 작동 V_CC 범위(0.8V ~ 3.6V)
• 3.3V 작동에 최적화됨
• 혼합 모드 신호 작동을 지원하는 3.6V I/O 허용 오차 범위
• t_pd = 최대 4ns(3.3V 기준)
• 지점 간 응용 제품에 적합
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델
    (A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74LVC1G04

단일 인버터

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoFree™ 패키지로 제공
• 5V V_CC 작동 지원
• 입력에서 최대 5.5V의 전압 수용
• t_pd = 최대 3.3ns(3.3V 기준)
• 낮은 전력 소비, 최대 10µA I_CC
• ±24mA 출력 구동(3.3V 기준)
• I_off는 라이브 삽입, 부분 전력 차단
  모드, 백 드라이브 보호를 지원함
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74LVC1G07

개방 드레인 출력을 갖춘 단일 버퍼/구동기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments
  NanoFree 패키지로 제공
• 5V V_CC 작동 지원
• 입력 및 개방 드레인 출력에서 최대 5.5V의
  전압 수용
• t_pd = 최대 4.2ns(3.3V 기준)
• 낮은 전력 소비, 최대 10µA I_CC
• ±24mA 출력 구동(3.3V 기준)
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을
  지원함
• JESD 78, 클래스 II에 따라
  100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74LVC1G08

단일 2입력 포지티브 AND 게이트

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoFree™ 패키지로 제공
• 5V V_CC 작동 지원
• 입력에서 최대 5.5V의 전압 수용
• t_pd = 최대 3.6ns(3.3V 기준)
• 낮은 전력 소비, 최대 10µA I_CC
• ±24mA 출력 구동(3.3V 기준)
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74LVC1G14

단일 슈미트 트리거 인버터

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoStar 및 NanoFree 패키지로 제공
• 5V V_CC 작동 지원
• 입력에서 최대 5.5V의 전압 수용
• t_pd = 최대 4.6ns(3.3V 기준)
• 낮은 전력 소비, 최대 10µA I_CC
• ±24mA 출력 구동(3.3V 기준)
• I_off는 라이브 삽입, 부분 전력 차단 모드, 백 드라이브 보호를 지원함
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74LVC1G17

단일 슈미트 트리거 버퍼

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoFree 패키지로 제공
• 5V V_CC 작동 지원
• 입력에서 최대 5.5V의 전압 수용
• t_pd = 최대 4.6ns(3.3V 기준)
• 낮은 전력 소비, 최대 10µA I_CC
• ±24mA 출력 구동(3.3V 기준)
• I_off는 라이브 삽입, 부분 전력 차단 모드, 백 드라이브 보호를 지원함
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74LVC1G32

단일 2입력 포지티브 OR 게이트

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoStar™ 및 NanoFree™ 패키지로 제공
• 5V V_CC 작동 지원
• 입력에서 최대 5.5V의 전압 수용
• t_pd = 최대 3.6ns(3.3V 기준)
• 낮은 전력 소비, 최대 10µA I_{C C}
• ±24mA 출력 구동(3.3V 기준)
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74LVC1G123

슈미트 트리거 입력을 갖춘 단일 재트리거 가능 단안정 다중 진동기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoFree™ 패키지로 제공
• 5V V_CC 작동 지원
• 입력에서 최대 5.5V의 전압 수용
• t_pd = 최대 8ns(3.3V 기준)
• 모든 포트에서 혼합 모드 전압 작동 지원
• 느린 입력 전이 속도를 위한 A 및 B 입력의 슈미트 트리거 회로망
• High 활성 또는 Low 활성 게이트 논리 입력에서 트리거되는 에지
• 매우 긴 출력 펄스를 위해 재트리거 가능, 최대 100% 듀티 사이클
• Clear 오버라이딩을 통해 출력 펄스 종단
• 출력에서 무결함 전력 가동 리셋
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74LVC1G125

3상태 출력의 단일 버스 버퍼 게이트

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoFree™ 패키지로 제공
• 5V V_CC 작동 지원
• 입력에서 최대 5.5V의 전압 수용
• t_pd = 최대 3.7ns(3.3V 기준)
• 낮은 전력 소비, 최대 10µA I_CC
• ±24mA 출력 구동(3.3V 기준)
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74LVC1G332

단일 3입력 포지티브 OR 게이트

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoStar™ 및 NanoFree™ 패키지로 제공
• 5V V_CC 작동 지원
• 입력에서 최대 5.5V의 전압 수용
• t_pd = 최대 4.5ns(3.3V 기준)
• 낮은 전력 소비, 최대 10µA I_CC
• ±24mA 출력 구동(3.3V 기준)
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• JESD 78, 클래스 II에 따라
  100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74LVC2G08

이중 2입력 포지티브 AND 게이트

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoFree™ 패키지로 제공
• 5V V_CC 작동 지원
• 입력에서 최대 5.5V의 전압 수용
• t_pd = 최대 4.7ns(3.3V 기준)
• 낮은 전력 소비, 최대 10µA I_CC
• ±24mA 출력 구동(3.3V 기준)
• 통상 V_OLP(출력 그라운드 바운스) < 0.8V(V_CC = 3.3V, T_A = 25°C 기준)
• 통상 V_OHV(출력 V_OH 언더슈트) > 2V(V_CC = 3.3V, T_A = 25°C 기준)
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

논리

논리 분야의 세계적 선도업체인 Texas Instruments(TI)는 양극 및 양극 보완 금속 산화막 반도체(BiCMOS) 제품군부터 최신의 첨단 CMOS 제품군에 이르는 전체 범위의 논리 기능 및 기술을 공급합니다. TI는 기존의 논리 제품에 대한 지원을 유지하면서 오늘날 전자 부품 시장에 필요한 논리 성능과 기능을 갖춘 공정 기술을 제공합니다. TI의 제품 범위에는 다음의 공정 기술 또는 장치 제품군이 포함됩니다.

• AC, ACT, AHC, AHCT, ALVC, AUC, AUP, AVC, FCT, HC, HCT, LV-A, LV-AT, LVC, TVC
• ABT, ABTE, ALB, ALVT, BCT, HSTL, LVT
• BTA, CB3Q, CB3T, CBT, CBT-C, CBTLV, FB, FIFO, GTL, GTLP, JTAG, I²C, VME
• ALS, AS, F, LS, S, TTL

SN74LVC00ARGYR

4중 2입력 포지티브 NAND 게이트

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 1.65V ~ 3.6V 작동
• -40°C ~ 85°C, -40°C ~ 125°C, -55°C ~ 125°C에서 사양이 지정됨
• 입력에서 최대 5.5V의 전압 수용
• t_pd = 최대 4.3ns(3.3V 기준)
• 통상 V_OLP(출력 그라운드 바운스) < 0.8V(V_CC = 3.3V, T_A = 25°C 기준)
• 통상 V_OHV(출력 V_OH 언더슈트) > 2V(V_CC = 3.3V, T_A = 25°C 기준)
• JESD 17에 따라 250mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74LVC06ARGYR

개방 드레인 출력을 갖춘 6중 인버터 버퍼/구동기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 1.65V ~ 3.6V 작동
• -40°C ~ 85°C, -40°C ~ 125°C, -55°C ~ 125°C에서 사양이 지정됨
• 입력 및 개방 드레인 출력에서 최대 5.5V의 전압 수용
• t_pd = 최대 3.7ns(3.3V 기준)
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• JESD 17에 따라 250mA 이상의 래치업 성능 제공

SN74LVC08ARGYR

4중 2입력 포지티브 AND 게이트

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 1.65V ~ 3.6V 작동
• -40°C ~ 85°C, -40°C ~ 125°C, -55°C ~ 125°C에서 사양이 지정됨
• 입력에서 최대 5.5V의 전압 수용
• t_pd = 최대 4.1ns(3.3V 기준)
• 통상 V_OLP(출력 그라운드 바운스) < 0.8V(V_CC = 3.3V, T_A = 25°C 기준)
• 통상 V_OHV(출력 V_OH 언더슈트) > 2V(V_CC = 3.3V, T_A = 25°C 기준)
• JESD 17에 따라 250mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

TS3L110

쿼드 SPDT 고대역폭 10/100 Base-T Lan 스위치, 차동 8채널-4채널 멀티플렉서/디멀티플렉서

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 광대역(BW = 통상 500MHz)
• 낮은 누화(X_TALK = 통상 -30dB)
• 양방향 데이터 흐름, 제로에 가까운 전파 지연
• 낮고 편평한 온스테이트 저항(r_on = 4Ω)
• 스위칭 온 데이터 I/O 포트(0 ~ 5V)
• 3V ~ 3.6V의 V_CC 작동 범위
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• 데이터 및 제어 입력에 언더슈트 클램프 다이오드 채용
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델(A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)
• 10 Base-T/100 Base-T 신호 모두에 적합

CD4011B

CMOS 쿼드 2입력 NAND 게이트

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 전파 지연 시간 = 통상 60ns(C_L = 50pF, V_DD = 10V 기준)
• 버퍼형 입력 및 출력
• 표준화된 대칭형 출력 특성
• 1A의 최대 입력 전류(18V, 전체 패키지 온도 범위 기준), 100nA(18V, 25°C 기준)
• 20V에서 정동작 전류에 대해 100% 테스트됨
• 5V, 10V, 15V 파라미터 정격
• 잡음 마진(전체 패키지 온도 범위 기준:
  1V(V_DD = 5V 기준)
  2V(V_DD = 10V 기준)
  2.5(V_DD = 15V 기준)
• JEDEC Tentative Standard No. 13B, "Standard Specifications for Description of "B" Series CMOS Devices"의 모든 요구 사항 충족

CD4013B

CMOS 이중 D 유형 플립 플롭

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 설정-리셋 기능
• 정적 플립 플롭 작동 - 클록 레벨 'high' 또는 'low'로 상태를 무기한 유지
• 중간 속도 작동- 16MHz(통상) 클록 토글 속도(10V 기준)
• 표준화된 대칭형 출력 특성
• 20V에서 정동작 전류에 대해 100% 테스트됨
• 1µA의 최대 입력 전류(18V, 전체 패키지 온도 범위 기준), 100nA(18V, 25°C 기준)
• 잡음 마진(전체 패키지 온도 범위) =
  
  • 1V(V_DD = 5V 기준)
  • 2V(V_DD = 10V 기준)
  • 2.5V(V_DD = 15V 기준)
• 5V, 10V, 15V 파라미터 정격
• JEDEC Tentative Standard No. 13B, "Standard Specifications for Description of 'B' Series CMOS Devices"의 모든 요구 사항 충족
• 응용 분야:
  • 레지스터, 카운터, 제어 회로

CD4017B

10개의 디코딩 출력을 갖춘 CMOS 십진 카운터

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 완벽한 정적 작동
• 중간 속도 작동…V_DD = 통상 10MHz(10V 기준)
• 표준화된 대칭형 출력 특성
• 20V에서 정동작 전류에 대해 100% 테스트됨
• 5V, 10V, 15V 파라미터 정격
• JEDEC Tentative Standard No. 13B, "Standard Specifications for Description of 'B' Series CMOS Devices"의 모든 요구 사항 충족
• 응용 분야:
  • 십진 카운터/십진수 디코딩 디스플레이(CD4017B)
  • 이진 카운터/디코더
  • 주파수 분할
  • 카운터 제어/타이머
  • N으로 나누기 카운팅
  • 응용 정보에 대한 자세한 내용은 ICAN-6166 "COS/MOS MSI Counter and Register Design and Applications"를 참조하십시오.

CD4049UB

CMOS 6중 반전 버퍼/카운터

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• CD4049UB 반전
• CD4050B 비반전
• 2개 TTL 부하 구동을 위한 높은 싱크 전류
• High-Low 레벨 논리 변환
• 20V에서 정동작 전류에 대해 100% 테스트됨
• 1µA의 최대 입력 전류(18V, 전체 패키지 온도 범위 기준), 100nA(18V, 25°C 기준)
• 5V, 10V, 15V 파라미터 정격
• 응용 분야
  • CMOS - DTL/TTL 6중 컨버터
  • CMOS 전류 '싱크' 또는 '소스' 구동기
  • CMOS High-Low 논리 레벨 컨버터

CD4051B

논리 레벨 변환 기능을 갖춘 CMOS 단일 8채널 아날로그 멀티플렉서/디멀티플렉서

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 광범위한 디지털 및 아날로그 신호 레벨
  • 디지털...3V ~ 20V
  • 아날로그...≤20V_P-P
• 낮은 온스테이트 저항, 통상 125Ω(V_DD-V_EE = 18V, 15V_P-P 신호 입력 범위 기준)
• 높은 오프스테이트 저항, 통상 ±100pA(V_DD-V_EE = 18V 기준)
• 3V ~ 20V의 디지털 주소 지정 신호의 논리 레벨 변환을 통해(V_DD-V_SS = 3V ~ 20V) 최대 20V_P-P의 아날로그 신호 변환(V_DD-V_EE = 20V)
• 정합 스위치 특성, V_DD-V_EE = 15V에 대해 r_ON = 5Ω(통상)
• 모든 디지털 제어 입력 및 공급 조건에서 매우 낮은 정동작 소비 전력, 통상 0.2W(V_DD-V_SS = V_DD-V_EE = 10V 기준)
• 칩에서 2진 주소 디코딩
• 5V, 10V, 15V 파라미터 정격
• 20V에서 정동작 전류에 대해 100% 테스트됨
• 1µA의 최대 입력 전류(18V, 전체 패키지 온도 범위 기준), 100nA(18V, 25°C 기준)
• BBM(브레이크 메이크) 스위칭으로 채널 오버랩 제거
• 응용 분야
  • 아날로그 및 디지털 다중화와 역다중화
  • A/D 및 D/A 변환
  • 신호 게이팅

CD4060B

CMOS 14스테이지 리플 캐리 2진 카운터/분할기 및 발진기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 12MHz 클록 속도(15V 기준)
• 공통 리셋
• 완벽한 정적 작동
• 버퍼형 입력 및 출력
• 슈미트 트리거 입력-펄스 라인
• 20V에서 정동작 전류에 대해 100% 테스트됨
• 표준화된 대칭형 출력 특성
• 5V, 10V, 15V 파라미터 정격
• JEDEC Tentative Standard No. 13B, "Standard Specifications for Description of 'B' Series CMOS Devices"의 모든 요구 사항 충족
• 발진기 특징:
  • 모든 능동 부품이 칩에 내장되어 있음
  • RC 또는 수정 발진기 구성
  • 최소 690kHz의 RC 발진기 주파수(15V 기준)
• 응용 분야
  • 제어 카운터
  • 타이머
  • 주파수 분할기
  • 시간 지연 회로

CD4066B

CMOS 쿼드 쌍방 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 15V 디지털 또는 ±7.5V 피크 투 피크 스위칭
• 15V 동작에 대해 통상 125Ω 온스테이트 저항
• 15V 신호 입력 범위에 걸쳐 스위치 온스테이트 저항이 5Ω 내에서 정합됨
• 전체 피크 투 피크 신호 범위에 걸쳐 온스테이트 저항이 일정함
• 높은 On/Off 출력-전압 비율: 통상 80dB(f_is = 10kHz, R_L = 1kΩ 기준)
• 높은 선형성: < 0.5% 왜곡(f_is = 1kHz, V_is = 5V p-p, V_DD-V_SSΩ 기준)
• 매우 낮은 오프스테이트 스위치 누설(그 결과 매우 낮은 오프셋 전류 및 높은 효율의 오프스테이트 저항 실현): 통상 10pA(V_DD-V_SS = 10V, T_A = 25°C 기준)
• 매우 높은 제어 입력 임피던스(신호 회로에서 제어 회로가 분리됨): 통상 10¹²Ω
• 스위치 간 낮은 누화: 통상 50dB(f_is = 8MHz, R_L = 1kΩ 기준)
• 제어-입력 대 신호-출력 정전 용량 정합: 출력 신호 과도 감소
• 주파수 응답, 스위치 온 = 40MHz(통상)
• 20V에서 정동작 전류에 대해 100% 테스트됨
• 5V, 10V, 15V 파라미터 정격
• JEDEC Tentative Standard No. 13B, Standard Specifications for Description of B-Series CMOS Devices의 모든 요구 사항 충족
• 응용 분야:
  • 아날로그 신호 스위칭/다중화:
    신호 게이팅, 변조기, 잡음 억제 제어, 복조기, 초퍼, 정류 스위치
  • 디지털 신호 스위칭/다중화
  • 전송 게이트 논리 구현
  • 아날로그-디지털 및 디지털-아날로그 변환
  • 주파수, 임피던스, 위상, 아날로그 신호 이득의 디지털 제어

CD4093B

CMOS 쿼드 2입력 NAND 슈미트 트리거

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 외부 부품 없이 각 입력에서 슈미트 트리거 작동
• 히스테리시스 전압 통상 0.9V(V_DD = 5V 기준), 2.3V(V_DD = 10V 기준)
• 50%를 초과하는 잡음 내성
• 입력 상승 및 하강 시간에 대한 제한 없음
• 표준화된 대칭형 출력 특성
• 20V에서 정동작 전류에 대해 100% 테스트됨
• 1µA의 최대 입력 전류(18V, 전체 패키지 온도 범위 기준), 100nA(18V, 25°C 기준)
• 5V, 10V, 15V 파라미터 정격
• JEDEC Tentative Standard No. 13B, "Standard Specifications for Description of 'B' Series CMOS Devices"의 모든 요구 사항 충족
• 응용 분야:
  • 파형 및 펄스 셰이퍼
  • 고잡음 환경 시스템
  • 단안정 다중 진동기
  • 무정위 다중 진동기
  • NAND 논리

CD74HC154

고속 CMOS 논리 4라인 - 16라인 디코더/디멀티플렉서

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 두 개의 활성화 입력이 역다중화 및 캐스캐이딩 기능을 촉진
• 팬아웃(온도 범위 기준)
  • 표준 출력 . . . . . . 10개 LSTTL 부하
  • 버스 구동기 출력 . . . 15개 LSTTL 부하
• 넓은 작동 온도 범위 . . . -55°C ~ 125°C
• 균형적인 전파 지연 시간과 전이 시간
• LSTTL 논리 IC와 비교하여 큰 전력 감소
• HC 유형
  • 2V ~ 6V 작동
  • 높은 잡음 내성: V_CC의 N_IL= 30%, N_IH = 30%(V_CC = 5V 기준)
• HCT 유형
  • 4.5V ~ 5.5V 작동
  • 직접 LSTTL 입력 논리 호환성, V_IL = 0.8V(최대), V_IH = 2V(최소)
  • CMOS 입력 호환성, I_l 1µA(V_OL, V_OH 기준)

SN7400

이중 2입력 포지티브 NAND 게이트

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 패키지 옵션에는 플라스틱 소형 아웃라인(D, NS, PS), 축소 소형 아웃라인(DB) 및 세라믹 플랫(W) 패키지, 세라믹 칩 캐리어(FK) 및 표준 플라스틱(N) 및 세라믹(J) DIP가 포함됨
• 또한 소형 아웃라인(PS) 패키지의 이중 2입력 포지티브 NAND 게이트로도 주문 가능

SN7404

6중 인버터

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 믿을 수 있는 Texas Instruments의 품질과 신뢰성

SN74HC14

6중 슈미트 트리거 인버터

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 넓은 작동 전압 범위(2V ~ 6V)
• 출력은 최대 10개 LSTTL 부하 구동 가능
• 낮은 전력 소비, 최대 20µA I_CC
• t_pd = 통상 11ns
• ±4mA 출력 구동(5V 기준)
• 최대 1µA의 낮은 입력 전류

SN74LS00

이중 2입력 포지티브 NAND 게이트

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 패키지 옵션에는 플라스틱 소형 아웃라인(D, NS, PS), 축소 소형 아웃라인(DB) 및 세라믹 플랫(W) 패키지, 세라믹 칩 캐리어(FK) 및 표준 플라스틱(N) 및 세라믹(J) DIP가 포함됨
• 또한 소형 아웃라인(PS) 패키지의 이중 2입력 포지티브 NAND 게이트로도 주문 가능

SN74LS04

6중 인버터

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 믿을 수 있는 Texas Instruments의 품질과 신뢰성

SN74LS08

4중 2입력 포지티브 AND 게이트

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 패키지 옵션에는 플라스틱 '소형 아웃라인' 패키지, 세라믹 칩 캐리어 및 플랫 패키지, 플라스틱 및 세라믹 DIP가 포함됨
• 믿을 수 있는 Texas Instruments의 품질과 신뢰성

SN74CB3Q16211

24비트 FET 2.5V/3.3V 저전압 고대역폭 버스 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments Widebus™ 제품군의 구성품
• 고대역폭 데이터 경로(최대 500MHz)
• 장치 전력 구동 또는 전력 차단 기능을 갖춘 5V 허용 오차 I/O
• 작동 범위에 걸쳐 낮고 일정한 온스테이트 저항(r_on) 특성(r_on = 통상 5Ω)
• 데이터 I/O 포트에서 레일 투 레일 스위칭
  • 3.3V V_CC: 0V ~ 5V 스위칭
  • 2.5V V_CC: 0V ~ 3.3V 스위칭
• 양방향 데이터 흐름, 제로에 가까운 전파 지연
• 낮은 입력/출력 정전 용량으로 부하 및 신호 왜곡 최소화(C_io(OFF) = 통상 4pF)
• 빠른 스위칭 주파수(f_OE\ = 최대 20MHz)
• 데이터 및 제어 입력에서 언더슈트 클램프 다이오드 제공
• 낮은 전력 소비(I_CC = 통상 1mA)
• 2.3V ~ 3.6V의 V_CC 작동 범위
• 데이터 I/O가 0V ~ 5V 신호 레벨 지원(0.8V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V)
• 제어 입력을 TTL 또는 5V/3.3V CMOS 출력으로 구동 가능
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델(A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74LVC138A

3라인 ~ 8라인 디코더/디멀티플렉서

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 1.65V ~ 3.6V 작동
• 입력에서 최대 5.5V의 전압 수용
• 3.3V에서 최대 5.8ns의 t_pd
• 통상 V_OLP(출력 그라운드 바운스)
  < 0.8V(V_CC = 3.3V, T_A = 25°C 기준)
• 통상 V_OHV(출력 V_OH 언더슈트)
  > 2V(V_CC = 3.3V, T_A = 25°C 기준)
• JESD 17에 따라 250mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

표준 선형

아날로그 시장을 대상으로 하는 TI의 제품은 신호 조정 회로, 전력 관리, 인터페이스 제품, 데이터 컨버터를 포함한 다중 시장, 범용 제품입니다. TI는 광범위한 응용 분야를 충족하도록 설계된 기능을 통해 업계에서 가장 넓은 선택폭을 제공하는 저전력 및 저전압 아날로그 부품을 개발했습니다. TI 표준 선형 제품은 다음을 제공합니다.

• 소형 패키징
• 고성능
• 광범위한 정전 용량
• 응용 제품 지원

LMV339

쿼드 범용 저전압 비교기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 2.7V 및 5V 성능
• 낮은 공급 전류
  • LMV331 . . . 통상 130µA
  • LMV393 . . . 통상 210µA
  • LMV339 . . . 통상 410µA
• 입력 공통 모드 전압 범위에 접지 포함
• 낮은 출력 표준 전압 통상 200mV
• 최대의 유연성을 위한 개방형 콜렉터 출력

LMV393

이중 범용 저전압 비교기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 2.7V 및 5V 성능
• 낮은 공급 전류
  • LMV331 . . . 통상 130µA
  • LMV393 . . . 통상 210µA
  • LMV339 . . . 통상 410µA
• 입력 공통 모드 전압 범위에 접지 포함
• 낮은 출력 표준 전압 통상 200mV
• 최대의 유연성을 위한 개방형 콜렉터 출력

LMV331

단일 범용 저전압 비교기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 2.7V 및 5V 성능
• 낮은 공급 전류
  • LMV331 . . . 통상 130µA
  • LMV393 . . . 통상 210µA
  • LMV339 . . . 통상 410µA
• 입력 공통 모드 전압 범위에 접지 포함
• 낮은 출력 표준 전압 통상 200mV
• 최대의 유연성을 위한 개방형 콜렉터 출력

LM311

스트로브 기능을 갖춘 차동형 비교기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 빠른 응답 시간
• 섬광등 용량
• 최대 입력 바이어스 전류. . . 300nA
• 최대 입력 오프셋 전류. . . 70nA
• 단일 5V 공급에서 작동 가능
• Q-Temp 차량에서 사용 가능
  • 고신뢰성 차량 응용 제품
  • 구성 제어/인쇄 지원
  • 자동차 표준 부합

LM358

이중 연산 증폭기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 넓은 공급 범위:
  • 단일 공급. . . 3V ~ 32V
    (LM2904의 경우 26V)
  • 또는 이중 공급. . . ±1.5V ~ ±n;16V
    (LM2904의 경우 ±13V)
• 공급 전압과 독립적인 낮은 공급-전류 드레인. . . 통상 0.7mA
• 공통 모드 입력 전압 범위에 접지가 포함되어 인접 접지 직접 감지 허용
• 낮은 입력 바이어스 및 오프셋 파라미터:
  • 입력 오프셋 전압 ...통상 3mV
    A 버전 ...통상 2mV
  • 입력 오프셋 전류 ...통상 2nA
  • 입력 바이어스 전류 . . . 통상 20nA
    A 버전 . . . 통상 15nA
• 차동 입력 전압 범위는 최대 정격 공급 전압과 동일함 . . . ±32V
  (LM2904의 경우 26V)
• 개방 루프 차등 전압 증폭. . . 통상 100V/mV
• 내부 주파수 보상

LM4040A25

2.5V 정밀 마이크로 전력 션트 전압 레퍼런스, 0.1% 정확도

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 2.048V, 2.5V, 3V, 4.096V, 5V, 8.192V, 10V의 고정 출력 전압
• 엄격한 출력 허용 오차 범위 및 낮은 온도 계수
  • 최대 0.1%, 100ppm/°C - A 등급
  • 최대 0.2%, 100ppm/°C - B 등급
  • 최대 0.5%, 100ppm/°C - C 등급
  • 최대 1.0%, 150ppm/°C - D 등급
• 낮은 출력 잡음. . .통상 35µV_RMS
• 폭넓은 작동 전류 범위. . .통상 45µA ~ 15mA
• 모든 정전 용량 부하에서 안정적. 출력 커패시터 불필요
• 확장 온도 범위에서 사용 가능. . .-40°C ~ 125°C
• 응용 분야
  • 데이터 취득 시스템
  • 전원 공급 장치 및 전원 공급 모니터
  • 계측 및 테스트 장비
  • 공정 제어
  • 정밀 오디오
  • 자동차 전자 장치
  • 에너지 관리
  • 배터리 전력 장비

LT1013

이중 정밀 연산 증폭기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 단일 공급 작동
  - 입력 전압 범위 접지로 확장
  - 전류 싱크 중 접지로 출력 스윙
• 입력 오프셋 전압
  - LT1013A의 경우 25°C에서 최대 150µV
• 오프셋 전압 온도 계수
  - LT1013A의 경우 최대 2.5µV/°C
• 입력 오프셋 전류
  - LT1013A의 경우 25°C에서 최대 0.8nA
• 높은 이득 . . . 최소 1.5V/µV(RL = 2kΩ), LT1013A의 경우 최소 0.8V/µV(RL = 600kΩ)
• 낮은 공급 전류 . . . LT1013A의 경우 TA = 25°C에서 최대 0.5mA
• 낮은 피크 투 피크 잡음 전압 . . . 통상 0.55µV
• 낮은 전류 잡음 . . . 통상 0.07pA/√Hz

NE5532

이중 저잡음 고속 오디오 연산 증폭기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 등가 입력 잡음 전압: 통상
  5nV/√Hz(1kHz 기준)
• 단위 이득 대역폭: 통상 10MHz
• 공통 모드 제거율: 통상 100dB
• 높은 DC 전압 이득: 통상 100V/mV
• 피크 투 피크 출력 전압 스윙 통상 26V
  , V_CC± = ±15V 및 R_L = 600Ω
• 높은 슬루율: 통상 9V/µs

RC4558

이중 범용 연산 증폭기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 연속 단락 보호
• 넓은 공통 모드 및 차등 전압 범위
• 주파수 보상 불필요
• 낮은 전력 소비
• 래치업 없음
• 단위 이득 대역폭 . . . 통상 3MHz
• 증폭기 간 이득 및 위상 일치
• 저잡음 . . . 통상 8nV/√Hz(1kHz 기준)

TL431

가변 정밀 단락 조정기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 40°C ~ 125°C에서 작동
• 25°C에서 전압 레퍼런스 허용 오차 범위
  • 0.5% . . . B 등급
  • 1%. . . A 등급
  • 2% . . . 표준 등급
• 일반적 온도 드리프트(TL431B)
  • 6mV(C 온도)
  • 14mV(I 온도, Q 온도)
• 낮은 출력 잡음
• 통상 0.2Ω 출력 임피던스
• 싱크 전류 용량. . . 1mA ~ 100mA
• 가변 출력 전압. . . Vref ~ 36V

TL072

이중 저잡음 JFET 입력 범용 연산 증폭기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 낮은 전력 소비
• 넓은 공통 모드 및 차등 전압 범위
• 낮은 입력 바이어스 및 오프셋 전류
• 출력 단락 보호
• 낮은 총 고조파 왜곡... 통상 0.003%
• 저잡음
  V_n = 통상 18nV/√Hz(f = 1kHz 기준)
• 높은 입력 임피던스. . . JFET 입력 스테이지
• 내부 주파수 보상
• 래치업 프리 작동
• 높은 슬루율. . . 통상 13V/µs
• 공통 모드 입력 전압 범위에 V_CC+ 포함

TL074

4중 저잡음 JFET 입력 범용 연산 증폭기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 낮은 전력 소비
• 넓은 공통 모드 및 차등 전압 범위
• 낮은 입력 바이어스 및 오프셋 전류
• 출력 단락 보호
• 낮은 총 고조파 왜곡... 통상 0.003%
• 저잡음
  V_n = 통상 18nV/√Hz(f = 1kHz 기준)
• 높은 입력 임피던스. . . JFET 입력 스테이지
• 내부 주파수 보상
• 래치업 프리 작동
• 높은 슬루율. . . 통상 13V/µs
• 공통 모드 입력 전압 범위에 V_CC+ 포함

TL084

JFET 입력 연산 증폭기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 낮은 전력 소비
• 넓은 공통 모드 및 차등 전압 범위
• 낮은 입력 바이어스 및 오프셋 전류
• 출력 단락 보호
• 낮은 총 고조파 왜곡...통상 0.003%
• 높은 입력 임피던스...JFET 입력 스테이지
• 래치업 프리 작동
• 높은 슬루율...통상 13V/µs
• 공통 모드 입력 전압 범위에 V_CC+ 포함

UA741

범용 연산 증폭기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 단락 보호
• 오프셋 전압 Null 용량
• 넓은 공통 모드 및 차등 전압 범위
• 주파수 보상 불필요
• 낮은 전력 소비
• 래치업 없음
• Fairchild uA741과 상호 운용되도록 설계

L293D

4중 하프 H 구동기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments의 Unitrode L293 및 L293D 제품 공급
• 넓은 공급 전압 범위(4.5V ~ 36V)
• 별도의 입력-논리 공급
• 내부 ESD 보호
• 과열 시 전원 차단
• 높은 잡음 내성의 입력
• SGS L293 및 SGS L293D의 기능 대체
• 채널당 출력 전류 1A(L293D의 경우 600mA)
• 채널당 피크 출력 전류 2 A(L293D의 경우 1.2A)
• 유도 과도 현상 억제용 출력 클램프 다이오드(L293D)

LMV321

단일 저전압 레일 투 레일 출력 연산 증폭기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 2.7V 및 5V 성능
• -40°C ~ 125°C 작동
• 저전력 차단 모드(LMV324S)
• 크로스오버 왜곡 없음
• 낮은 공급 전류
  • LMV321 . . . 통상 130µA
  • LMV358 . . . 통상 210µA
  • LMV324 . . . 통상 410µA
  • LMV324S . . . 통상 410µA
• 레일 투 레일 출력 스윙
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

MAX232

이중 EIA-232 구동기/수신기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• TIA/EIA-232-F 및 ITU 권장 V.28 충족 또는 초과
• 1.0µF 충전-펌프 커패시터로 단일 5V 전원 공급 장치에서 작동
• 최대 120kbit/s 작동
• 2개의 구동기와 2개의 수신기
• ±30V 입력 레벨
• 낮은 공급 전류...통상 8mA
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
• MAX202의 경우 향상된 ESD(15-kV HBM) 및 0.1µF 충전-펌프 커패시터로 업그레이드 가능
• 응용 분야
  • TIA/EIA-232-F, 배터리 전력 공급 시스템, 단자, 모뎀 및 컴퓨터

OP07C

낮은-오프셋 전압 연산 증폭기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 저잡음
• 외부 부품 불필요
• 낮은 비용으로 초퍼 증폭기 대체
• 넓은 입력-전압 범위
  . . . 통상 0V ~ ±14V
• 넓은 공급-전압 범위
  . . . ±3V ~ ±18V

ESD/EMI

장치의 휴대성이 커지고, 인터페이스 커넥터가 많아지고, 터치스크린이 장착되며, 외부와 연결되는 경우가 많아지는 오늘날의 환경에서 시스템 레벨 정전기 방전(ESD) 보호가 매우 중요해 졌습니다. 한 번의 ESD 충격만으로도 제품이 영구적으로 손상되기 때문에 ESD 보호는 시스템 설계의 핵심 요소입니다. 전자파 장해(EMI) 역시 시스템 설계에서 종종 직면하는 중요한 과제입니다. EMI는 외부 소스로부터의 전자기 유도 때문에 전기 회로에 영향을 미치는 무선 주파수(RF)(800MHz ~ 2GHz) 장애입니다. Texas Instruments는 외부와의 연결 대부분을 보호하는 솔루션을 통해 ESD 및 EMI 장치를 모두 공급합니다.

TPD4E001

저정전 용량 4채널 +/-15-kV ESD 보호 어레이

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 시스템 레벨 ESD 보호의 향상을 위한 4채널 ESD 클램프 어레이
• IEC61000-4-2(레벨 4) ESD 보호 요구 사항 초과
• ±8kV IEC 61000-4-2 접점 방전
• ±15kV IEC 61000-4-2 공중 방전
• ±15kV 인체 모델(HBM)
• 5.5A 피크 펄스 전류(8/20us 펄스)
• 낮은 1.5pF 입력 정전 용량

TPD4S014

USB 충전기 포트 보호를 위한 완전한 단일칩 솔루션

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 최대 28V 입력 전압 보호(VBUS 기준)
• 낮은 Ron nFET 스위치
• 2A보다 높은 충전 전류 지원
• 과전압 및 부족 전압 록아웃 기능

TPD4E001

고속 데이터 인터페이스용 낮은 정전 용량 4채널 +/-15kV ESD 보호 어레이

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 시스템 레벨 ESD 보호의 향상을 위한 4채널 ESD 클램프 어레이
• IEC61000-4-2(레벨 4) ESD 보호 요구 사항 초과
  • ±8kV IEC 61000-4-2 접점 방전
  • ±15kV IEC 61000-4-2 공중 방전
• ±15kV 인체 모델(HBM)
• 5.5A 피크 펄스 전류(8/20us 펄스)
• 낮은 1.5pF 입력 정전 용량
• 낮은 1nA(최대) 누설 전류
• 0.9V ~ 5.5V 공급 전압 범위
• 공간 절약형 DRL, DBV, DCK, DRS 패키지 옵션
• 대체 2채널, 3채널, 6채널 옵션 가능: TPD2E001, TPD3E001, TPD6E001

TPD8E003

휴대 가능한 공간 절약형 응용 제품을 위한 8채널 ESD 어레이

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 시스템 레벨 ESD 보호의 향상을 위한 8채널 ESD 클램프 어레이
• IEC61000-4-2(레벨 4) ESD 보호 요구 사항 초과
  • ±12kV IEC 61000-4-2 접점 방전
  • ±15kV IEC 61000-4-2 공중 방전
• 3.5A 피크 펄스 전류(8/20us 펄스)
• ±15kV 인체 모델(HBM)
• 6V의 낮은 항복 전압
• 낮은 누설 전류
• 공간 절약형 초박, 소형 아웃라인 리드리스[WSON (DQD)] 패키지(0.4mm 피치)
• 응용 분야
  • 키패드
  • 터치 스크린 인터페이스
  • 메모리 인터페이스
  • 도킹 커넥터 인터페이스

TPD7S019

레벨 시프터가 통합된, VGA 포트용 7채널 통합 ESD 솔루션

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 7채널 ESD 보호에 ESD 보호, 레벨 조정, 버퍼링 및 동기화 임피던스 정합 포함
• 외부 핀에서 IEC61000-4-2(레벨 4) ESD 보호 요구 사항 초과
  • ±15kV 인체 모델(HBM)
  • ±8kV IEC 61000-4-2 접점 방전
• VIDEO 라인의 경우 ESD 보호 다이오드의 매우 낮은 부하 정전 용량(2.5pF)
• HSYNC 및 VSYNC 라인용 5V 구동기
• 동기화 라인의 경우 임피던스 정합 저항기 통합됨:
  • TPD7S019-65: 65Ω 종단
  • TPD7S019-15: 15Ω 종단
  • TPD7S019-55: 55Ω 종단
• DDC_CLK 및 DDC_DATA 채널에 대해 양방향 레벨 조정 N채널 FET 제공
• 플로스루 단일 라인 입력 핀 매핑으로 커넥터 근처에 ESD 보호 칩을
  배치할 수 있어 추가적인 기판 레이아웃 부담이 없음
• 응용 분야
  • VGA 및 DVI-I 포트:
    • 데스크톱 및 노트북 PC
    • 그래픽 카드
    • 셋톱 박스
    • TV

TPD2S017

직렬 저항기 분리를 제공하는 2채널 초저 클램프 전압 ESD 솔루션

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 초저 클램프 전압을 통해 ESD 이벤트 동안 초저전압
  코어 칩셋의 보호 보장
• IEC61000-4-2(레벨 4)의 ESD 보호 초과
• ±8mΩ(통상)의 직렬 저항기(R =1Ω) 정합
• 0.02pF(통상)의 차동 채널 입력 정전 용량 정합
• 높은 주파수에서 고속 데이터 전송률 및 EMI 필터 작업
  (-3dB 대역폭, &asymp;3GHz)
• 6핀 소형 아웃라인 트랜지스터 [SOT(DBV)] 패키지로 제공
• 고속 라인용 플로스루 단일 라인 입력 핀 매핑으로 커넥터 근처에
  ESD 보호 칩을 배치할 수 있으며 추가적인
  기판 레이아웃 부담이 없음
• 응용 분야
  • 고속 USB
  • IEEE 1394 인터페이스
  • 저전압 차동 신호(LVDS)
  • 모바일 디스플레이 디지털 인터페이스(MDDI)/모바일
    산업 프로세서 인터페이스(MIPI)
  • HS 신호

TPD12S015A

휴대용 응용 제품을 위한 승압 DC-DC, I2C 레벨 시프터 및 고속 ESD 클램프가 포함된 HDMI 컴패니언 칩

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 외부 부품 없이 HDMI 규정 준수 테스트 충족
• HDMI 1.4 데이터 전송률 지원
• 클래스 D 및 클래스 C 핀 매핑 일치
• 각 차동 신호 쌍에서 우수한 정합 정전 용량(0.05pF)
• 2.3V ~ 5.5V 배터리 전압에서 5V를 생성하기 위한 내부 부스트 컨버터
• CEC, SDA, SCL 경로의 자동 방향 감지 레벨 조정
• IEC 61000-4-2(레벨 4) 시스템 레벨 ESD 규정 준수
• 산업 분야에서 널리 사용되는 TPD12S015에 대해 향상된 드롭인 대체
• 산업 온도 범위: -40°C ~ 85°C

TPD1E10B09

10pF 정전 용량 및 9V 항복 전압을 갖춘 0402 패키지의 단일 채널 ESD 보호

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 저전압 IO 인터페이스에 대해 시스템 레벨 ESD 보호 제공
• IEC 61000-4-2 레벨 4
  • ±20kV(공중 방전),
  • ±20kV(접점 방전)
• IEC 61000-4-5(서지): 4.5A(8/20µs)
• IO 정전 용량 10pF(통상)
• R_DYN 0.5Ω(통상)
• DC 항복 전압 ±9.5V(최소)
• 초저누설 전류 100nA(통상)
• 13V 클램핑 전압(최대, I_PP = 1A 기준)
• 산업 온도 범위: -40°C ~ 125°C
• 공간 절약형 0402 실장 면적(1mm x 0.6mm x 0.5mm)

TPD1E10B06

10pF 정전 용량 및 6V 항복 전압을 갖춘 0402 패키지의 단일 채널 ESD

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 저전압 IO 인터페이스에 대해 시스템 레벨 ESD 보호 제공
• IEC 61000-4-2 레벨 4
  • ±30kV(공중 방전),
  • ±30kV(접점 방전)
• IEC 61000-4-5(서지): 6A(8/20µs)
• IO 정전 용량 12pF(통상)
• R_DYN 0.4Ω(통상)
• DC 항복 전압 ±6V(최소)
• 초저누설 전류 100nA(최대)
• 10V 클램핑 전압(최대, I_PP = 1A 기준)
• 산업 온도 범위: -40°C ~ 125°C
• 공간 절약형 0402 실장 면적(1mm x 0.6mm x 0.5mm)

아날로그 스위치

오늘날의 경쟁 환경에서는 끊임 없이 더 높은 성능이 요구됩니다. 시스템 성능을 최적화하는 한 가지 일반적인 방법은 FET 스위치 또는 신호 스위치를 사용하여 DSP, CPU, 산업 표준 버스, 메모리 및 주변 장치 간에 고속 양방향 버스 인터페이스를 제공하는 것입니다. Texas Instruments 신호 스위치 제품 포트폴리오는 신호 버퍼링이 불필요할 때 표준 버스 인터페이스 장치에 대해 고성능 저전력을 대체할 수 있는 디지털 스위치, 아날로그 스위치 및 특수 스위치로 구성됩니다.

아날로그 스위치

TS3DDR3812

고속 응용 제품을 위한 12채널, 1:2 MUX/DEMUX 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 1.675GHz의 넓은 대역폭
• 낮은 전파 지연(t_pd = 40ps 통상)
• 낮은 비트 간 스큐(t_sk(o) = 6ps 최대)
• 3V ~ 3.6V의 V_CC 작동 범위

TS5USBA224

네거티브 신호 기능을 갖춘 USB 2.0 고속(480Mbps) 및 오디오 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 4Ω 고속 USB 스위치:
  • 통상 R_DSON
  • 통상 12.5pF C_ON
  • 650MHz 대역폭(-3dB)
• 오디오 스위치:
  • 통상 3Ω R_DSON
  • 네거티브 레일 기능
  • 낮은 THD: <0.05%
  • 클릭 앤 팝 감소를 위한 내부 션트 저항기
  • V_AUDIO에서 전력 공급(2.7V ~ 5.5V)
• 1.8V 호환 제어 입력(A_SEL 및 V_BUS) 임계값
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨

TS5A22362

네거티브 레일 기능을 갖춘 0.65옴 이중 SPDT 아날로그 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 지정된 BBM(브레이크-메이크) 스위칭
• 네거티브 신호 기능: 최대 스윙
  2.75V ~ 2.75V(V₊ = 2.75V)
• 두 소스 간 전환 시 내부 션트 스위치로
  가청 클릭 앤 팝 방지(TS5A22364)
• 낮은 온스테이트 저항(통상 0.65Ω)
• 낮은 충전 주입
• 우수한 온스테이트 저항 정합
• 2.3V ~ 5.5V 전원 공급 장치(V₊)
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2500V 인체 모델(A114-B, 클래스 II)
  • 1500V 충전식 장치 모델(C101)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
• 응용 분야
  • 휴대 전화
  • PDA
  • 휴대용 계측 기기
  • 오디오 라우팅
  • 의료 영상 기기

TS3USB221

단일 활성화가 가능한 고속 USB 2.0(480Mbps) 1:2 멀티플렉서/디멀티플렉서 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• V_CC 작동(2.5V 및 3.3V 기준)
• V_I/O가 최대 5.5V의 신호 수용
• 1.8V 호환 제어 핀 입력
• OE 비활성화 시 저전력 모드(1µA)
• r_ON = 최대 6Ω
• Δr_ON = 통상 0.2Ω
• C_io(on) = 최대 6pF
• 낮은 전력 소비(최대 30µA)
• ESD > 2000V 인체 모델(HBM)
• 높은 대역폭(통상 1.1GHz)
• 응용 분야
  • USB 1.0, 1.1, 2.0에 대해 신호 라우팅
  • 모바일 산업 프로세서 인터페이스(MIPI) 신호 라우팅

TS3USB30

단일 활성화가 가능한 고속 USB 2.0(480Mbps) 1:2 멀티플렉서/디멀티플렉서 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• V_CC 작동(3V 및 4.3V 기준)
• 1.8V 호환 제어 핀 입력
• I_OFF는 부분 전력 차단 모드 작동 지원
• r_on = 최대 10Ω
• Δr_on < 통상 0.35Ω
• C_io(ON) = 통상 7pF
• 낮은 전력 소비(최대 1µA)
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 6000V 인체 모델(HBM)
    (A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)
  • 250V 기계 모델(A115-A)
• 3dB 대역폭 = 통상 955MHz
• 10핀 TQFN 패키지(1.4mm × 1.8mm)
• 응용 분야
  • USB 1.0, 1.1, 2.0에 대해 신호 라우팅
  • 모바일 산업 프로세서 인터페이스(MIPI) 신호 라우팅

TS5A23159

1옴 이중 SPDT 아날로그 스위치 5V/3.3V 2채널 2:1 멀티플렉서/디멀티플렉서

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 전력 차단 모드에서 분리, V₊ = 0
• 지정된 BBM(브레이크-메이크) 스위칭
• 낮은 온스테이트 저항(1Ω)
• 제어 입력은 5.5V 허용 오차 범위
• 낮은 충전 주입
• 우수한 온스테이트 저항 정합
• 낮은 총 고조파 왜곡(THD)
• 1.65V ~ 5.5V 단일 공급 작동
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델
    (A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)
• 응용 분야
  • 휴대 전화
  • PDA
  • 휴대용 계측 기기
  • 오디오 및 비디오 신호 라우팅
  • 저전압 데이터 취득 시스템
  • 통신 회로
  • 모뎀

TS5USBA224

네거티브 신호 기능을 갖춘 USB 2.0 고속(480Mbps) 및 오디오 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 고속 USB 스위치:
  • 통상 4Ω R_DSON
  • 통상 12.5pF C_ON
  • 650MHz 대역폭(-3dB)
• 오디오 스위치:
  • 통상 3Ω R_DSON
  • 네거티브 레일 기능
  • 낮은 THD: <0.05%
  • 클릭 앤 팝 감소를 위한 내부 션트 저항기
  • V_AUDIO에서 전력 공급(2.7V ~ 5.5V)
• 1.8V 호환 제어 입력(A_SEL 및 V_BUS) 임계값
• I_OFF 부분 전력 차단 모드 지원
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델
    (A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
• 응용 분야
  • 핸드폰
  • 개인용 정보 단말기(PDA)
  • 휴대용 계측 기기

TSU6111

임피던스 및 충전기 감지가 통합된 이중 SP2T 마이크로 USB 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 이중 SP2T
  • USB 및 UART 경로에서 USB 2.0 고속 지원
• 스마트 감지
  • 플러그인/분리 감지
  • USB 충전기 감지
  • 임피던스 감지
  • CEA-936A 준수 감지
    (4선 프로토콜, UART 인터페이스)
• 충전기 감지
  • USB BCDv1.1 준수
  • VBUS 감지
  • 데이터 접촉 감지
  • 기본 및 보조 감지
• 호환 부속품
  • USB 케이블
  • UART 케이블
  • USB 충전기 BCDv1.1
• 추가 특징
  • 호스트 프로세스의 I²C 인터페이스
  • 제조에서 사용되는 제어 신호 지원(JIG, BOOT)
  • 장착 및 분리 부속품용 인터럽트

TS3A24159

0.3옴 이중 SPDT 아날로그 스위치 이중 채널 2:1 멀티플렉서/디멀티플렉서

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 지정된 BBM(브레이크-메이크) 스위칭
• 낮은 온스테이트 저항(최대 0.3Ω)
• 낮은 충전 주입
• 우수한 온스테이트 저항 정합
• 낮은 총 고조파 왜곡(THD)
• 1.65V ~ 3.6V 단일 공급 작동
• 제어 입력은 1.8V 논리와 호환
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• • JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델(A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

부하 스위치

TI의 TPS229xx 통합 부하 스위치 제품군은 전류 누설을 줄여서 시스템의 전력 소비를 최적화하는 손쉬운 솔루션을 제공합니다. 이러한 부하 스위치는 휴대용 전력 관리 설계자가 직면하는 과제를 해결하기 위해 특별히 설계되었습니다. 여러 부하 스위치의 모든 주요 기능이 하나의 다이에 통합되어 최대의 성능과 유연성을 최종 사용자에게 제공합니다. 통합 부하 스위치 사용은 분배 전력 관리 아키텍처를 구현하고, 사용되지 않을 경우 응용 제품의 전력을 차단하기 위한 간편한 방법입니다.

TPS22946

초저전력, 낮은 입력 전압, 전류 제한 부하 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 초저 정동작 전류 통상 1µA
  (V_IN = 1.8V 기준)
• 입력 전압 범위: 1.62V ~ 5.5V
• 낮은 온스테이트 저항
  • r_ON = 300mΩ(V_IN = 5.5V 기준)
  • r_ON = 400mΩ(V_IN = 3.3V 기준)
  • r_ON = 500mΩ(V_IN = 2.5V 기준)
  • r_ON = 600mΩ(V_IN = 1.8V 기준)
• 선택 가능한 최소 전류 제한:
  155mA, 70mA 또는 30mA
• 통합 유입 전류 시간 초과(8ms)
• 차단 전류: < 1µA
• 과열 시 전원 차단
• 고장 무효화
• 자동 재시작
• 과전류 조건 시간 초과(영구적 과전류에 대해
  자동 비활성화)
• 1.8V 호환 제어 입력
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 6000V 인체 모델
    (A114-B, 클래스 II)
• 소형 WCSP 패키지 1.4mm &timews; 0.9mm(YZP)
• 응용 분야
  • 지문 모듈 보호

TPS22941

차단 및 자동 재시작 기능을 갖춘 낮은 입력 전압 40mA, 전류 제한 부하 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 입력 전압 범위: 1.62V ~ 5.5V
• 낮은 온스테이트 저항
  • r_ON = 0.4Ω(V_IN = 5.5V 기준)
  • r_ON = 0.5Ω(V_IN = 3.3V 기준)
  • r_ON = 0.6Ω(V_IN = 2.5V 기준)
  • r_ON = 0.8Ω(V_IN = 1.8V 기준)
• 최소 전류 제한: 40mA 또는 100mA
• 저전압 차단
• 과열 시 전원 차단
• 차단 전류: < 1µA
• 빠른 전류 제한 응답 시간
• 고장 무효화
• 자동 재시작
• 1.8V 호환 제어 입력 임계값
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 4000V 인체 모델
    (A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)
• 소형 SC-70(DCK) 패키지
• 응용 분야
  • 저전류 센서 보호

TPS22904

빠른 출력 방전이 가능한 초소형 낮은 입력 전압 낮은 rON 부하 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 입력 전압: 1.1V ~ 3.6V
• 매우 낮은 온스테이트 저항
  • r_ON = 66mΩ(V_IN = 3.6V 기준)
  • r_ON = 75mΩ(V_IN = 2.5V 기준)
  • r_ON = 90mΩ(V_IN = 1.8V 기준)
  • r_ON = 135mΩ(V_IN = 1.2V 기준)
• 최대 500mA 연속 스위치 전류
• 정동작 전류: < 1µA
• 차단 전류: < 1µA
• 낮은 제어 입력 임계값으로 1.2V/1.8V/2.5V/3.3V 논리 사용 가능
• 슬루율 제어(최대 5µs(3.6V 기준))
• 빠른 출력 방전(TPS22904의 경우에만)
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델
    (A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)
• 4단자 웨이퍼 칩-스케일 패키지(WCSP)
  • 0.8mm × 0.8mm,
    0.4mm 피치, 0.5mm 높이
• 응용 분야
  • PDA
  • 휴대 전화

TPS22929D

턴온 제어가 가능한 낮은 입력 전압, 1.8A 단일 채널 부하 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 통합 단일 부하 스위치
• 작은 SOT23-6 패키지
• 입력 전압 범위: 1.4V ~ 5.5V
• 낮은 온스테이트 저항
  • r_ON = 115mΩ(VIN = 5V 기준)
  • r_ON = 115mΩ(VIN = 3.3V 기준)
  • r_ON = 118mΩ(VIN = 2.5V 기준)
  • r_ON = 129mΩ(VIN = 1.5V 기준)
• 1.8A 연속 스위치 전류(25C)
• 낮은 임계값 제어 입력
• 슬루율 제어 옵션
• 부족 전압 차단
• 빠른 출력 방전 트랜지스터
• 역전류 보호

TPS22913C

턴온 제어가 가능한 초소형, 저 rON, 2A 단일 채널 부하 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 통합 단일 부하 스위치
• 초소형 CSP-4 패키지 0.9mm × 0.9mm, 0.5mm 피치
• 입력 전압 범위: 1.4V ~ 5.5V
• 낮은 온스테이트 저항
  • r_ON = 60mΩ(VIN = 5V 기준)
  • r_ON = 61mΩ(VIN = 3.3V 기준)
  • r_ON = 74mΩ(VIN = 1.8V 기준)
  • r_ON = 84mΩ(VIN = 1.5V 기준)
• 최대 2A 연속 스위치 전류
• 낮은 임계값 제어 입력
• 슬루율 제어 옵션
• 부족 전압 차단
• 빠른 출력 방전 트랜지스터
• 역전류 보호

TPS22912C

턴온 제어가 가능한 낮은 입력 전압, 2A 단일 채널 부하 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 통합 단일 부하 스위치
• 초소형 CSP-4 패키지 0.9mm × 0.9mm, 0.5mm 피치
• 입력 전압 범위: 1.4V ~ 5.5V
• 낮은 온스테이트 저항
  • r_ON = 60mΩ(VIN = 5V 기준)
  • r_ON = 61mΩ(VIN = 3.3V 기준)
  • r_ON = 74mΩ(VIN = 1.8V 기준)
  • r_ON = 84mΩ(VIN = 1.5V 기준)
• 최대 2A 연속 스위치 전류
• 낮은 임계값 제어 입력
• 슬루율 제어 옵션
• 부족 전압 차단
• 역전류 보호

TPS22910A

턴온 제어가 가능한 초소형, 저 rON, 2A 단일 채널 부하 스위치

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 통합 단일 부하 스위치
• 초소형 CSP-4 패키지 0.9mm × 0.9mm, 0.5mm 피치
• 입력 전압 범위: 1.4V ~ 5.5V
• 낮은 온스테이트 저항
  • r_ON = 60mΩ(VIN = 5V 기준)
  • r_ON = 61mΩ(VIN = 3.3V 기준)
  • r_ON = 74mΩ(VIN = 1.8V 기준)
  • r_ON = 84mΩ(VIN = 1.5V 기준)
• 최대 2A 연속 스위치 전류
• 낮은 임계값 제어 입력
• 슬루율 제어 옵션
• 부족 전압 차단
• 역전류 보호

I²C

많은 주변 장치 연결로 인해 회로의 복잡성이 높아짐에 따라 설계를 단순화하고 비용을 절감할 방법이 필요해 졌습니다. I2C 버스는 인쇄 회로 기판(PCB) 트레이스의 수를 줄이고 마이크로 프로세서의 범용 입력 및 출력(GPIO) 사용을 낮춤으로써 이러한 요구 사항을 충족합니다. Texas Instruments I/O 확장기, 멀티플렉서, 버퍼 및 리피터는 시스템 설계자가 입증된 I²C 장치를 사용하여 효과적인 서브 시스템 통신 및 인터페이스를 달성할 수 있도록 도와줍니다. 내부 통합 회로(I²C) 버스는 2개의 활성 전선, 양방향 직렬 데이터(SDA) 라인 및 양방향 직렬 클록(SCL) 라인으로 구성됩니다. TI의 I²C 포트폴리오에는 TCA, PCA, PCF 기술이 포함됩니다.

TCA5405

저전압 5비트 셀프 타이밍, 단선 출력 확장기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 1.65V ~ 3.6V의 작동 전원 공급 장치 전압 범위
• 5개의 독립적 푸시 풀 출력
• 모든 출력의 단일 입력(DIN) 제어 상태
• 고전류 구동은 LED를 직접 구동하기 위한 최대 용량 출력
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공

TCA6416A

저전압 16비트 I²C 및 SMBus I/O 확장기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 1.65V ~ 5.5V의 작동 전원 공급 장치 전압 범위
• I²C - 병렬 포트 확장기
• 3µA의 낮은 대기 전류 소비
• 슈미트 트리거 작동을 통해 느린 입력 전이와 SCL 및 SDA 입력에서 향상된 스위칭 잡음 내성 허용

PCA9306

이중 양방향 I2C 버스 및 SMBus 전압 레벨 변환기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 혼합 모드 I²C 응용 제품에서 SDA 및 SCL 라인을 위한
  2비트 양방향 변환기
• I²C 및 SMBus 호환
• 최대 1.5ns 미만의 전파 지연으로 표준 모드 및 고속 모드
  I²C 장치 및 여러 마스터 수용
• 다음 사이의 전압 레벨 변환기 허용
  • 1.2V V_REF1과 1.8V, 2.5V, 3.3V
    또는 5V V_REF2
  • 1.8V V_REF1과 2.5V, 3.3V 또는 5V V_REF2
  • 2.5V V_REF1과 3.3V 또는 5V V_REF2
  • 3.3V V_REF1과 5V V_REF2
• 방향 핀 없이 양방향 전압 변환 제공
• 입력 포트와 출력 포트 간에 낮은 3.5Ω 온스테이트 연결로
  신호 왜곡 감소
• 개방 드레인 I²C I/O 포트(SCL1, SDA1, SCL2, SDA2)
• 혼합 모드 신호 작동을 지원하기 위한 5V 허용 오차 범위의 I²C I/O 포트
• EN = Low인 경우 높은 임피던스 SCL1, SDA1, SCL2, SDA2 핀
• EN = Low일 때 분리를 위한 잠금 해제 작동
• 간편한 인쇄 회로 기판 트레이스 라우팅을 위한 플로스루 핀아웃
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

TCA6408A

저전압 8비트 I2C 및 SMBus I/O 확장기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 1.65V ~ 5.5V의 작동 전원
  공급 장치 전압 범위
• 다음 사이에서 양방향 전압 레벨 변환 및
  GPIO 확장 허용
  • 1.8V SCL/SDA와 1.8V, 2.5V,
    3.3V 또는 5V P 포트
  • 2.5V SCL/SDA와 1.8V, 2.5V,
    3.3V 또는 5V P 포트
  • 3.3V SCL/SDA와 1.8V, 2.5V,
    3.3V 또는 5V P 포트
  • 5V SCL/SDA와 1.8V, 2.5V,
    3.3V 또는 5V P 포트
• I²C - 병렬 포트 확장기
• 1µA의 낮은 대기 전류 소비
• 슈미트 트리거 작동을 통해 느린 입력 전이와
  SCL 및 SDA 입력에서 향상된 스위칭 잡음 내성 허용
  • V_hys = 통상 0.18V(1.8V 기준)
  • V_hys = 통상 0.25V(2.5V 기준)
  • V_hys = 통상 0.33V(3.3V 기준)
  • V_hys = 통상 0.5V(5V 기준)
• 5V 허용 오차 범위 I/O 포트
• Low 활성 리셋(RESET) 입력
• 개방 드레인 Low 활성 인터럽트(INT) 출력
• 400kHz 고속 I²C 버스
• 입력/출력 구성 레지스터
• 극성 반전 레지스터
• 내부 파워온 리셋

TCA6424A

저전압 24비트 I2C 및 SMBus I/O 확장기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 1.65V ~ 5.5V의 작동 전원 공급 장치 전압 범위
• 다음 사이에서 양방향 전압 레벨 변환 및 GPIO 확장 허용
  • 1.8V SCL/SDA와
    1.8V, 2.5V, 3.3V 또는 5V P 포트
  • 2.5V SCL/SDA와
    1.8V, 2.5V, 3.3V 또는 5V P 포트
  • 3.3V SCL/SDA와
    1.8V, 2.5V, 3.3V 또는 5V P 포트
  • 5V SCL/SDA와
    1.8V, 2.5V, 3.3V 또는 5V P 포트
• I²C - 병렬 포트 확장기
• 1µA의 낮은 대기 전류 소비
• 슈미트 트리거 작동을 통해 느린 입력 전이와
  SCL 및 SDA 입력에서 향상된 스위칭 잡음 내성 허용
  • V_hys = 통상 0.18V(1.8V 기준)
  • V_hys = 통상 0.25V(2.5V 기준)
  • V_hys = 통상 0.33V(3.3V 기준)
  • V_hys = 통상 0.5V(5V 기준)
• 5V 허용 오차 범위 I/O 포트
• Low 활성 리셋 입력(RESET)
• 개방 드레인 Low 활성 인터럽트 출력(INT)
• 400kHz 고속 I²C 버스
• 입력/출력 구성 레지스터
• 극성 반전 레지스터
• 내부 파워온 리셋

TCA6507

휘도 조절 및 차단 기능을 갖춘 저전압 7비트 I2C 및 SMBus LED 구동기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 7개의 LED 구동기 출력: On, Off, 깜박임, 페이딩 속도 프로그래밍 가능
• 개방 드레인 출력이 최대 40mA까지 LED 직접 구동
• 2개의 독립적인 LED 구동기 뱅크로 구성 가능
• 깜박임 속도, 페이드온 및 페이드오프 속도 및 최대 강도를 폭넓게 프로그래밍 가능
• 펄스 폭 변조(PWM)를 사용하여 LED 강도 설정
• LED 구동기로 사용되지 않는 출력은 일반 범용 개방 드레인 출력으로 사용 가능
• 완전 Off에서 완전 On 상태까지 16단계의 최대 강도 제어
• 매끄러운 전환을 위해 페이드온 또는 페이드오프 중 256단계의 강도 레벨
• 1.65V ~ 3.6V의 작동 전원 공급 장치 전압 범위
• EVM 사용 가능
• 슈미트 트리거 작동을 통해 느린 입력 전이와 입력에서 향상된 스위칭 잡음 내성 허용
  • V_hys = 통상 0.18V(1.8V 기준)
  • V_hys = 통상 0.25V(2.5V 기준)
  • V_hys = 통상 0.33V(3.3V 기준)
• 5.5V 허용 오차 범위 개방 드레인 출력
• 추가적인 전력 절감을 위한 차단 기능으로 낮은 대기 전류
• 내부 파워온 리셋
• 내부 발진기로 외부 부품 불필요
• SMBus와 호환되는 I²C 버스 인터페이스 논리를 통해 프로그래밍됨
• 400kHz 고속 I²C 버스

TCA9555

인터럽트 출력 및 구성 레지스터를 갖춘 원격 16비트 I2C 및 SMBus I/O 확장기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 최대 3µA의 낮은 대기 전류 소비
• I²C - 병렬 포트 확장기
• 개방 드레인 Low 활성 인터럽트 출력
• 5V 허용 오차 범위 I/O 포트
• 대부분의 마이크로 컨트롤러와 호환
• 400kHz 고속 I²C 버스
• 최대 8개 장치를 사용할 수 있도록 3개의 하드웨어
  주소 핀으로 주소 지정
• 극성 반전 레지스터
• 직접 구동 LED를 위해 고전류 구동
  용량의 래치 출력
• JESD 78, 클래스 II에 따라
  100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

TCA7408

인터럽트 출력 리셋 I/O 방향 레지스터를 갖춘 저전압 8비트 I2C I/O 확장기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 1.65V ~ 3.6V의 작동 전원 공급 장치 전압 범위
• 다음 사이에서 양방향 전압 레벨 변환 및 GPIO 확장 허용
  • 1.8V SCL/SDA와 1.8V, 2.5V, 3.3V GPIO 포트
  • 2.5V SCL/SDA와 1.8V, 2.5V, 3.3V GPIO 포트
  • 3.3V SCL/SDA와 1.8V, 2.5V, 3.3V GPIO 포트
  • 5V SCL/SDA와 1.8V, 2.5V, 3.3V GPIO 포트
• 2µA 미만의 대기 전류 소비(1.8V 기준)
• 유효 전류 소비:
  • 2µA 미만(1.8V 100kHz 클록 기준)
  • 5µA 미만(1.8V 400kHz 클록 기준)
• 100kHz, 400kHz 고속 모드
• 내부 파워온 리셋 및 워치독 타이머
• 고장 시 안전 I²C, INT 및 RESET 라인
• SCL/SDA 및 입력의 잡음 필터
• 슈미트 트리거 작동을 통해 느린 입력 전이와 SCL 및 SDA 입력에서 향상된 스위칭 잡음 내성 허용
  • V_hys = 통상 0.18V(1.8V 기준)
  • V_hys = 통상 0.25V(2.5V 기준)
  • V_hys = 통상 0.33V(3.3V 기준)
• Low 활성 리셋(RESET) 입력
• 개방 드레인 Low 활성 인터럽트(INT) 출력

TCA9509

레벨 변환 I2C 버스 리피터

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 2채널 양방향 버퍼
• I²C 버스 및 SMBus 호환
• B측에서 2.7V ~ 5.5V의 작동
  공급 전압 범위
• A측에서 0.9V ~ V_CCB ~ 1V의 작동 전압 범위
• 
  0.9V ~ (V_CCB - 1V) 및 2.7V ~ 5.5V의 전압 레벨 변환
• High 활성 리피터 활성화 입력
• 저전압 포트 A에서 외부 풀업 레지스터 불필요
• 개방 드레인 I²C I/O
• 5.5V 허용 오차 범위 I²C 및 활성화 입력이 혼합 모드 신호 작동 지원
• 잠금 해제 작동
• 표준 모드 및 고속 모드 I²C 장치와 여러 마스터 수용
• 리피터 간 중재 및 클록 확장 지원
• 파워오프 고임피던스 I²C 버스 핀
• 400kHz 고속 I²C 버스 작동 속도 지원
• 주문 가능 패키지
  • 1.6mm x 1.6mm, 0.4mm 높이, 0.5mm 피치 QFN 패키지
  • 3mm x 3mm 산업 표준 MSOP 패키지
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)

변환기

동일한 회로 기판에서 여러 작동 공급 전압 레벨의 동시 사용을 혼합, 정합, 지원하는 기능으로 인해 전압 레벨 변환의 필요성이 대두되었습니다. 전압 레벨 변환기 또는 레벨 시프터는 같은 회로 기판에서 다른 공급 전압 레벨을 동시에 사용함으로 인한 문제를 해결합니다. Texas Instruments는 레벨 시프터에 대한 고객의 모든 필요 사항을 충족하기 위해 업계에서 가장 광범위한 레벨 변환 포트폴리오를 제공합니다.

TXS4555

무선 기저대역 프로세서 인터페이스를 위한 완전한 SIM 카드 솔루션

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 레벨 변환기
  • 1.65V ~ 3.3V의 V_CC 범위
  • 2.3V ~ 5.5V의 V_BATT 범위
• 낮은 드롭아웃(LDO) 조정기
  • 활성화 기능을 갖춘 50mA LDO 조정기
  • 1.8V 또는 2.95V 선택 가능 출력 전압
  • 2.3V ~ 5.5V 입력 전압 범위
  • 매우 낮은 드롭아웃: 최대 100mV(50mA 기준)

TXS0102

개방 드레인 응용 제품을 위한 2비트 양방향 전압 레벨 변환기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 방향 제어 신호 불필요
• 최대의 데이터 전송률
  • 24Mbps(푸시 풀)
  • 2Mbps(개방 드레인)
• Texas Instruments NanoFree™ 패키지로 제공
• A 포트에서 1.65V ~ 3.6V, B 포트에서 2.3V ~ 5.5V(V_CCA ≤ V_CCB)

TXB0104

자동 방향 감지 및 +/-15kV ESD 보호 기능을 갖춘 4비트 양방향 전압 레벨 변환기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• A 포트에서 1.2V ~ 3.6V, B 포트에서
  1.65V ~ 5.5V(V_CCA ≤ V_CCB)
• V_CC 절연 기능 -
  V_CC 입력 중 하나가 GND인 경우 모든 출력은
  고임피던스 상태임
• OE 입력 회로가 V_CCA로 레퍼런싱됨
• 낮은 전력 소비, 최대 5µA I_CC
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • A 포트
    • 2500V 인체 모델(A114-B)
    • 1500V 충전식 장치 모델(C101)
  • B 포트
    • ±15kV 인체 모델(A114-B)
    • 1500V 충전식 장치 모델(C101)

TXS0104E

개방 드레인 응용 제품을 위한 4비트 양방향 전압 레벨 변환기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 방향 제어 신호 불필요
• 최대의 데이터 전송률
  • 24Mbps(푸시 풀)
  • 2Mbps(개방 드레인)
• Texas Instruments NanoFree 패키지로 제공
• A 포트에서 1.65V ~ 3.6V, B 포트에서 2.3V ~ 5.5V(V_CCA ≤ V_CCB)
• 전원 공급 장치 시퀀싱 불필요 - V_CCA 또는 V_CCB를 먼저 램핑할 수 있음
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • A 포트 2000V 인체 모델(A114-B)200V 기계 모델(A115-A)1000V 충전식 장치 모델(C101)
  • B 포트 15kV 인체 모델(A114-B)200V 기계 모델(A115-A)1000V 충전식 장치 모델(C101)
• IEC 61000-4-2 ESD(B 포트)
  • ±8kV 접점 방전
  • ±10kV 공중 방전

SN74LVC1T45

구성 가능 전압 변환과 3상태 출력을 제공하는 단일 비트 이중 공급 버스 트랜시버

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoFree™ 패키지로 제공
• 완전히 구성 가능한 이중 레일 설계로 각 포트가
  전체 1.65V ~ 5.5V 전원 공급 장치 범위에서 작동 가능
• V_CC 절연 기능 - V_CC 입력 중 하나가 GND일 경우,
  두 포트 모드가 고임피던스 상태임
• DIR 입력 회로가 V_CCA로 레퍼런싱됨
• 낮은 전력 소비, 최대 4µA I_CC
• ±24mA 출력 구동(3.3V 기준)
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• 최대의 데이터 전송률
  • 420Mbps(3.3V에서 5V로 변환)
  • 210Mbps(3.3V로 변환)
  • 140Mbps(2.5V로 변환)
  • 75Mbps(1.8V로 변환)
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 2000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74AVC2T45

구성 가능 전압 변환과 3상태 출력을 제공하는 이중 비트 이중 공급 버스 트랜시버

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoFree™ 패키지로 제공
• 제어 입력 V_IH/V_IL 레벨은 V_CCA 전압으로 레퍼런싱됨
• 완전히 구성 가능한 이중 레일 설계로 각 포트가 전체 1.2V ~ 3.6V 전원 공급 장치 범위에서 작동 가능
• I/O는 4.6V 허용 오차 범위
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• 최대의 데이터 전송률
  • 500Mbps(1.8V에서 3.3V로 변환)
  • 320Mbps(1.8V 미만에서 3.3V로 변환)
  • 320Mbps(2.5V 또는 1.8V로 변환)
  • 280Mbps(1.5V로 변환)
  • 240Mbps(1.2V로 변환)
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 8000V 인체 모델(A114-A)
  • 200V 기계 모델(A115-A)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)

SN74AUP1T97

단일 공급 전압 변환기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• Texas Instruments NanoStar™ 패키지로 제공
• 단일 공급 전압 변환기
• 1.8V에서 3.3V로(V_CC = 3.3V 기준)
• 2.5V에서 3.3V로(V_CC = 3.3V 기준)
• 1.8V에서 2.5V로(V_CC = 2.5V 기준)
• 3.3V에서 2.5V로(V_CC = 2.5V 기준)
• 구성 가능한 9개 게이트 논리 기능
• 슈미트 트리거 입력이 입력 잡음을 차단하고
  향상된 출력 신호 무결성 제공
• I_off가 저누설 전류(0.5µA)로
  부분 전력 차단 모드 지원
• 매우 낮은 정적 및 작동 전력 소비
• 무연 패키지 주문 가능: SON(DRY 또는 DSF),
  SOT-23(DBV), SC-70(DCK), NanoStar WCSP
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• JESD 22에 따라 ESD 성능이 테스트됨
  • 2000V 인체 모델
    (A114-B, 클래스 II)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)
• 정격 장치: SN74AUP1T98, SN74AUP1T57 및 SN74AUP1T58

TXB0304

완전 대칭 0.9V ~ 3.6V 범위를 갖춘 4비트 양방향 자동 방향 감지 변환기

자세한 내용을 보려면 여기를 클릭하세요.

• 완전 대칭 공급 전압. A 포트에서 0.9V ~ 3.6V 및 0.9V ~ 3.6V
• V_CC 분리 기능 - V_CC 입력 중 하나가 GND인 경우
  모든 출력은 고임피던스 상태임
• OE 입력 회로가 V_CCA로 레퍼런싱됨
• 낮은 전력 소비, 최대 5µA(I_CCA 또는 I_CCB)
• I_off는 부분 전력 차단 모드 작동을 지원함
• JESD 78, 클래스 II에 따라 100mA 이상의 래치업 성능 제공
• ESD 보호는 JESD 22를 초과
  • 8000V 인체 모델(A114-B)
  • 1000V 충전 장치 모델(C101)