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TOLL 및 PDFN88 패키지의 4세대 600V 초접합 MOSFET
Taiwan Semiconductor MOSFET, 전력 시스템에 탁월한 열 성능 제공
Taiwan Semiconductor 600V 4세대 초접합(SJ) MOSFET은 최첨단 효율성과 고급 설계 역량을 결합하여 고전력 시스템의 요구 사항을 충족합니다. 최신 4세대 SJ 기술을 기반으로 제작된 이 MOSFET은 안정적인 스위칭 성능, 낮은 게이트 전하, 강력한 잡음 내성을 제공하여 광범위한 전력 응용 제품에서 안정적인 작동을 지원합니다.
TOLL 및 PDFN88 패키지의 도입으로 설계자는 회로 레이아웃과 열 설계에서 더 큰 유연성을 확보할 수 있습니다. 이러한 패키지 옵션은 초접합 MOSFET 기술의 검증된 전기적 특성을 유지하는 동시에 통합 가능성을 향상시킵니다. 이제 엔지니어는 공간 제약이나 열 요구 사항에 따라 가장 적합한 패키지를 선택하여 보다 적응력 있고 효율적인 시스템 설계를 할 수 있습니다.
산업, 재생 에너지, 전력 변환 시스템의 끊임없이 변화하는 요구에 맞춰 설계된 이 MOSFET은 성능 안정성과 설계 다양성의 균형 잡힌 조합을 제공합니다. 강력한 기술과 확장된 패키지 옵션으로 에너지 효율적이고 내구성이 뛰어난 전력 솔루션을 위한 신뢰할 수 있는 선택입니다.
특징
- 4세대 SJ 기술
- 낮은 게이트 전하로 원활한 스위칭 동작이 가능
- 높은 게이트 잡음 내성
- 유연한 레이아웃을 위한 TOLL 및 PDFN88 패키지
- RoHS 준수 및 무할로겐
응용 분야
- 전환식 모드 전원 공급 장치(SMPS)
- 서버 및 데이터 센터 전력 시스템
- 산업용 및 LED 조명
- 모터 구동 및 인버터
- 마이크로 PV 및 재생 에너지 시스템
4th Generation 600 V Super Junction MOSFETs with TOLL and PDFN88 Packages
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TSM60NE084TL RAG | 600V, 47A, SINGLE N-CHANNEL HIGH | 1943 - 즉시 | $13,163.00 | 세부 정보 보기 |
| | TSM60NE110TL RAG | 600V, 30A, SINGLE N-CHANNEL HIGH | 1997 - 즉시 | $10,870.00 | 세부 정보 보기 |
|  | TSM60NE110CE RVG | 600V, 27A, SINGLE N-CHANNEL HIGH | 3000 - 즉시 | $10,702.00 | 세부 정보 보기 |
|  | TSM60NE160CE RVG | 600V, 21A, SINGLE N-CHANNEL HIGH | 3000 - 즉시 | $8,271.00 | 세부 정보 보기 |
| | TSM60NE180CE RVG | 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL HIGH | 3000 - 즉시 | $7,338.00 | 세부 정보 보기 |
| | TSM60NE285CE RVG | 600V, 16A, SINGLE N-CHANNEL HIGH | 3000 - 즉시 | $5,855.00 | 세부 정보 보기 |
게시 날짜: 2025-12-05
