NCx51705 EliteSiC MOSFET 게이트 구동기

제품 주요 내용 > NCx51705 EliteSiC MOSFET 게이트 구동기

            NCx51705 EliteSiC MOSFET 게이트 구동기  
                    최대 허용 게이트 전압을 EliteSiC MOSFET 장치에 공급할 수 있는 onsemi의 단일 6A 고속 구동기  
    

onsemi의 NCx51705 SiC MOSFET 게이트 구동기 이미지 onsemi의 NCx51705 로우사이드, 단일 6A 고속 구동기는 주로 EliteSiC MOSFET 트랜지스터를 구동하도록 설계되었습니다. 가능한 가장 낮은 전도 손실을 달성하기 위해, 구동기는 최대 허용 게이트 전압을 EliteSiC MOSFET 장치에 전달할 수 있습니다. 켜고 끌 때 높은 피크 전류를 제공함으로써 스위칭 손실도 최소화할 수 있습니다. NCx51705는 기판 실장형 충전 펌프를 사용하여 사용자가 선택 가능한 네거티브 전압 레일을 생성함으로써 신뢰성을 개선하고 dv/dt 내성을 구현하며 훨씬 빠르게 끄기 기능을 달성할 수 있습니다. NCx51705는 또한 외부에서 액세스 가능한 5V 레일을 제공하여 디지털 또는 고속 광절연기의 2차측에 전원을 공급하므로 분리형 응용 제품에 적합합니다.

리소스

특징

분할 출력 스테이지로 높은 피크 출력 전류를 공급
최대 28V의 확장 포지티브 정격 전압
사용자 조정 가능 내장형 네거티브 충전 펌프(-3.3V ~ -8V)
접근 가능한 5V 기준/바이어스 레일
가변 저전압 잠금
빠른 불포화 기능
QFN24 패키지 4mm x 4mm

독립적인 온/오프 조정 가능
전도 기간 중 효율적인 SiC MOSFET 작동
빠른 끄기 및 강력한 dv/dt 내성
분리형 게이트 구동기 응용 제품에서 바이어스 공급의 복잡성을 최소화
SiC 최고 성능에 맞는 충분한 V_GS 진폭
설계의 자체 보호
작고 낮은 기생 유도 용량 패키지

응용 분야

고성능 인버터
고출력 모터 구동기
토템 폴 PFC

산업 및 모터 구동기
UPS 및 태양광 인버터
고전력 DC 충전기

NCx51705 SiC MOSFET Gate Driver

	이미지	제조업체 부품 번호	제품 요약	주문 가능 수량	가격	세부 정보 보기
		NCP51705MNTXG	IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN	961 - 즉시 114000 - 공장 재고	$8,513.00	세부 정보 보기
		NCV51705MNTWG	IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN	5116 - 즉시	$5,759.00	세부 정보 보기

제조업체 부품 번호	제품 요약	주문 가능 수량	가격	세부 정보 보기
NTHL080N120SC1	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3	0 - 즉시	See Page for Pricing	세부 정보 보기
NDSH25170A	DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472	0 - 즉시	$26,104.00	세부 정보 보기
FFSD08120A	DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA	2358 - 즉시 5000 - 공장 재고	$9,763.00	세부 정보 보기
NCD57001DWR2G	DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC	1231 - 즉시	$9,063.00	세부 정보 보기
FFSB0665B	DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263	627 - 즉시	$4,480.00	세부 정보 보기