GaN 전력 스위치용 NCP51820 고성능 650V 하프브리지 게이트 구동기

onsemi의 NCP51820 고속 게이트 구동기는 오프라인 하프브리지 전력 토폴로지로 구동 인핸스먼트 모드(e-mode) 및 게이트 주입 트랜지스터(GIT) GaN HEMT 전력 스위치의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. NCP51820은 짧은 전파 지연 매칭과 -3.5V ~ +650V(통상)의 공통 모드 전압 범위를 제공하므로 하이사이드 구동에 적합합니다. GaN 전력 트랜지스터의 게이트를 과잉 전압 응력으로부터 완벽하게 보호하기 위해 두 구동 스테이지에서 전용 전압 조정기를 사용하여 게이트 소스 구동 신호 진폭을 정확하게 유지할 수 있습니다. NCP51820은 독립 저전압 차단(UVLO) 및 IC 과열 시 전원 차단과 같은 중요한 보호 기능을 제공합니다.

리소스

• 응용 예제: NCP51820 GaN 구동기, PCB 설계 및 레이아웃
• 기술 설명서: GaN과 SiC 트랜지스터의 차이