고성능 N채널 MOSFET

Nexperia는 향상된 안정성과 성능을 위해 고급 TrenchMOS 기술을 제공합니다.

Nexperia의 PSMN047-100NSE/PSMN071-100NSE 고급 N채널 ASFET 이미지 Nexperia 고성능 N채널 MOSFET은 다양한 응용 분야에서 효율적인 전력 관리를 위해 설계되었습니다. 이 MOSFET은 TrenchMOS 기술을 사용하여 뛰어난 성능과 안정성을 제공합니다. 이 제품은 콤팩트한 LFPAK56 및 LFPAK88 패키지로 제공되므로 공간이 제한된 설계에 이상적입니다. 이러한 MOSFET은 높은 피크 드레인 전류, 낮은 RDS(ON) 및 높은 작동 접합 온도와 같은 특징을 가지고 있어 동기 정류, DC/DC 컨버터, 모터 제어, 전력 관리 시스템을 포함한 광범위한 응용 분야에 적합합니다. PSMN 계열은 논리 레벨과 표준 레벨 게이트 구동 옵션을 모두 제공하여 다양한 설계 요구 사항에 맞는 유연성을 제공합니다. 이 MOSFET은 +175°C에도 적합하여 까다로운 환경에서도 강력한 성능을 보장합니다.

특징
  • N채널 MOSFET
  • 최대 100V 드레인-소스 전압
  • 53의 낮은 RDS(ON)(PSMN047-100NSE)
  • 82의 낮은 RDS(ON)(PSMN071-100NSE)
  • 향상된 SOA
  • 콤팩트한 DFN2020 패키지
  • LFPAK33 패키지보다 60% 더 작음
  • 낮은 I2R 전도 손실
  • 매우 낮은 IDSS 누출
  • 고전력 PoE 기능(60W 이상)
  • 내결함성 부하 스위치
  • 효율적인 유입 관리
  • eFuse 응용 제품에 적합
  • 신뢰할 수 있는 계전기 교체
  • 강력한 열 관리
응용 분야
  • PoE 시스템
  • IEEE802.3at 및 독점 PoE 솔루션
  • 유입 관리
  • eFuse 응용 제품
  • 배터리 관리 시스템
  • 계전기 대체품
  • Wi-Fi® 핫스팟
  • 5G 피코셀
  • CCTV 시스템
  • 고전력 부하 스위치
  • 산업 자동화
  • 전기 통신 장비
  • 데이터 센터
  • 네트워크 인프라
  • 소비자 가전

Single FETs, MOSFETs

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업데이트: 2025-04-08
게시 날짜: 2025-01-21