효율적인 전력 관리를 위한 PSMN 계열 고성능 N채널 MOSFET

Nexperia PSMN 계열 N채널 MOSFET은 논리 및 표준 수준 게이트 구동 옵션을 모두 제공하여 다양한 설계 요구 사항에 대한 유연성을 제공합니다.

Nexperia PSMN 계열 고성능 N채널 MOSFET 이미지Nexperia PSMN 계열 고성능 N채널 MOSFET은 다양한 응용 분야에서 효율적인 전력 관리를 위해 설계되었습니다. PSMN029-100HL, PSMN014-40HLD, PSMN045-100HL, PSMN033-100HL, PSMN038-100HS, PSMN028-100HS, PSMN025-100HS, PSMN012-60HL, PSMN013-60HL, PSMN011-60HL, PSMN014-60HS, PSMN013-60HS, PSMN9R3-60HS, PSMN6R1-40HL, PSMN6R8-40HS, PSMN8R5-40HS, PSMN8R0-40HL을 포함한 이러한 MOSFET은 TrenchMOS 기술을 활용하여 뛰어난 성능과 안정성을 제공합니다.

이 장치는 콤팩트한 LFPAK56D(듀얼 전원-SO8) 패키지로 제공되므로 공간이 제한된 설계에 이상적입니다. 이러한 MOSFET은 높은 피크 드레인 전류, 낮은 RDS(on) 및 높은 작동 접합 온도와 같은 특징을 가지고 있어 동기 정류, DC-DC 컨버터, 모터 제어, 전력 관리 시스템을 포함한 광범위한 응용 분야에 적합합니다.

PSMN 계열은 논리 및 표준 수준 게이트 구동 옵션을 제공하여 다양한 설계 요구 사항에 맞는 유연성을 제공합니다. 또한 이 MOSFET은 +175°C까지 인증되어 까다로운 환경에서도 견고한 성능을 보장합니다.

특징
  • 높은 피크 드레인 전류(IDM)
  • 효율적인 전력 관리를 위한 낮은 RDS(on)
  • 높은 작동 접합 온도(Tj) 최대 +175°C
  • 콤팩트한 LFPAK56D(듀얼 전원-SO8) 패키지
  • 우수한 성능을 위한 TrenchMOS 기술
  • 논리 및 표준 수준 게이트 구동 옵션
  • 높은 신뢰성 및 견고성
  • 낮은 바디 다이오드 역회복 전하(Qrr)
  • 향상된 열 성능을 위한 구리 클립과 유연한 리드
  • 반복적인 애벌런치 정격
  • 낮은 게이트 전하(Qg)
  • 높은 내전력 성능
  • 낮은 게이트 임계 전압(VGS(th))
  • RoHS 준수 및 무연
  • 고밀도 응용 제품에 적합
응용 분야
  • 동기식 정류기
  • DC-DC 컨버터
  • 모터 제어
  • 전력 관리 시스템
  • 무정전 전원 공급 장치(UPS)
  • 산업용 구동
  • 포워드 및 플라이백 컨버터
  • 고성능 동기 정류
  • 브러시리스 DC 모터 제어
  • 고효율 전원 공급 장치
  • 소비자 가전
  • 자동차용 전자 장치
  • 통신 장치
  • 배터리 관리 시스템
  • 첨단 운전자 보조 시스템(ADAS)

PSMN Series High-Performance N-Channel MOSFETs

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격세부 정보 보기
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게시 날짜: 2025-03-26