CoolSiC™ G2 1200V 실리콘 카바이드 MOSFET 이산 소자

Infineon의 SiC(실리콘 카바이드) CoolSiC MOSFET은 응용 제품에서 가장 낮은 손실과 가장 높은 작동 신뢰성을 모두 허용하도록 최적화된 최첨단 트렌치 반도체 프로세스를 기반으로 제작되었습니다. 이산 CoolSiC MOSFET 포트폴리오는 650V, 750V, 1200V, 1700V 및 2000V 전압 등급으로 제공되며 온 저항 정격은 7mΩ ~ 1000mΩ입니다. CoolSiC 트렌치 기술을 사용하면 게이트 소스 전압, 애벌런치 사양, 단락 기능 또는 하드 정류 등급의 내부 바디 다이오드 등 각 제품 포트폴리오의 응용 제품별 기능을 구현할 수 있는 유연한 파라미터 세트가 가능합니다.

현재 3가지 패키지로 제공되는 이산 CoolSiC 1,200V G2 MOSFET은 모두 1세대 기술의 강점을 기반으로 대폭 개선되어 더욱 비용 최적화되고 효율적이며 콤팩트하고 설계하기 쉽고 안정적인 시스템을 위한 고급 솔루션을 제공합니다. 2세대는 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지 모두에서 주요 성능 지표가 크게 개선되었으며 AC/DC, DC/DC 및 DC/AC 스테이지의 모든 일반적인 조합에 적합합니다.

고객이 설계 요구 사항에 따라 선택할 수 있도록 두 가지 TO-247 4핀 패키지 변형(표준 TO-247 4핀 패키지 및 TO-247 4핀 HC 패키지)이 제공됩니다. TO-247 4핀은 향상된 연면거리, 얇은 신호 리드, 켈빈 핀을 제공하여 납땜 브리징을 방지하고 열 인터페이스 재료(TIM) 영역을 최적화하여 뛰어난 열 성능을 제공합니다. 표준 TO-247-4 패키지는 시중에 판매되는 대부분 제품과 핀 호환이 가능합니다. 고전력 응용 제품에 적합하고 낮은 온 저항 및 고속 스위칭 MOSFET용으로 설계된 TO-263-7(D²PAK-7L) 패키지의 장치도 사용할 수 있습니다. TO-263-7 패키지는 7mm 미만의 연면거리와 공간거리를 제공하며 PCB 설계 시 절연 노력을 최소화합니다.

상단 냉각 방식의 Q-DPAK은 냉각, 에너지 효율성, 설계 유연성, 성능 면에서 새로운 시대를 열었으며 산업용 분야에서 폭넓게 사용하도록 특별히 설계되었습니다. Q-DPAK의 CoolSiC MOSFET G2 장치는 뛰어난 열 성능으로 조립을 용이하게 하여 고객에게 시스템 비용을 절감해 줍니다. 하단 냉각 솔루션에 비해 상단 냉각 장치는 더욱 최적화된 PCB 레이아웃을 가능하게 하여 기생 구성 요소와 부유 유도 용량의 영향을 줄이는 동시에 향상된 열 관리 기능을 제공합니다. Q-DPAK 패키지는 듀얼 하프 브리지와 싱글 스위치 MOSFET으로 제공됩니다.

REF-DR3KIMBGSIC2MA SiC 참조 설계는 구동기 회로와 서보 모터 및 구동용 3상 인버터를 포함한 두 개의 PCB로 구성됩니다. 높은 전력 밀도, 냉각 팬이 필요 없는 패시브 냉각, PCB 직경이 110mm에 불과한 초소형 설치 공간 등의 이점이 있습니다. 여기를 클릭하여 Infineon 전용 참조 설계 라이브러리에 액세스하세요.