EPC2152 ePower™ 스테이지 IC
초고속 스위칭 및 효율적인 성능을 제공하는 EPC의 전력 스테이지 IC
EPC의 EPC23102는 1MHz 작동 기준 최대 35A까지 작동할 수 있는 완전한 GaN 하프브리지 전력 스테이지를 통합하여 DC/DC 변환, 모터 구동, 클래스 D 오디오 증폭기 등 고전력 밀도 응용 분야에 고성능 소형 솔루션을 제공합니다.
- 하이사이드 및 로우사이드 GaN FET, 내부 게이트 구동기, 레벨 시프터, 동기식 부트스트랩 충전 및 논리 인터페이스를 3.5mm x 5mm의 콤팩트형 QFN 패키지에 통합한 올일체형 전력 스테이지 IC
- 고전류 및 고전압 기능: 최대 35A 부하 전류(1MHz에서) 및 최대 100V 입력에 정격
- 낮은 RDS(ON): 하이사이드 및 로우사이드 FET 모두 6.6m로 전도 손실을 최소화
- 초고속 스위칭: 고주파 컨버터의 경우 1MHz 이상에서 작동 가능
- 효율적인 성능: 1MHz 기준 48V ~ 12V 벅 컨버터에서 8A ~ 17A 연속 부하를 처리할 때 96% 이상의 피크 효율이 입증됨



