HMC8411 저잡음 증폭기

0.01GHz ~ 10GHz에서 작동하는 Analog Devices의 GaAs, MMIC, pHEMT, 저잡음 광대역 증폭기

Analog Devices HMC8411 저잡음 증폭기 이미지Analog Devices의 HMC8411LP2FE는 갈륨 비소(GaAs), 모놀리식 극초단파 집적 회로(MMIC), 부정형 고전자 이동도 트랜지스터(pHEMT), 0.01GHz ~ 10GHz에서 작동하는 저잡음 광대역 증폭기입니다. HMC8411LP2FE는 15.5dB의 통상 이득, 1.7dB의 통상 잡음 지수 및 34dBm의 통상 출력 3차 교차점(OIP3)을 제공하여 5V 공급 전압에서 55mA만을 필요로 합니다. 통상 19.5dBm의 포화 출력 전력(PSAT)을 사용하면 저잡음 증폭기(LNA)를 Analog Devices의 평형, 동위상/직각 위상(I/Q) 또는 영상 제거 혼합기에서 로컬 발진기(LO) 구동기로 작동할 수 있습니다.

HMC8411LP2FE는 또한 내부적으로 50Ω에 일치하는 입출력을 제공하므로 표면 실장 기술(SMT) 기반의 고용량 극초단파 무선 응용 제품에 적합합니다. RoHS를 준수하는 2mm × 2mm, 6리드 LFCSP에 들어 있습니다. EV1HMC8411LP2F 평가 기판은 Rogers 4350을 사용하고 고주파 RF 설계 모범 사례를 사용하여 제작된 2층 기판입니다. RF 입력 및 RF 출력 트레이스에는 50Ω 특성 임피던스가 있습니다.

특징
  • 저잡음 지수: 통상 1.7dB
  • 단일 양수 공급(자기 편향)
  • 고이득: 통상 15.5dB
  • 높은 OIP3: 통상 34dBm
  • 6리드, 2mm x 2mm LFCSP
  • 군용 온도 범위(-55°C ~ +125°C)
응용 분야
  • 테스트 기기
  • 군사 통신

HMC8411 Low-Noise Amplifier

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게시 날짜: 2023-11-13