Alliance Memory, Inc.

AS4CxM16D1 고속 CMOS DDR1 SDRAM

높은 메모리 대역폭을 필요로 하는 제품을 위한 Alliance Memory의 고속 CMOS DDR1 SDRAM

Alliance Memory의 고속 CMOS DDR1 SDRAM 이미지Alliance Memory의 AS4C4M16D1, AS4C8M16D1, AS4C16M16D1, AS4C32M16D1, AS4C64M16D1 고속 CMOS 이중 데이터 전송률 동기식 DRAM(DDR1 SDRAM)은 66핀 TSOP II 패키지에서 각각 64MB, 128MB, 256MB, 512MB, 1Gb의 밀도를 제공합니다. 높은 메모리 대역폭을 필요로 하는 제품 범위에 이상적이고 특히 고성능 PC 제품에 적합한 이 장치는 여러 유사한 솔루션에 대해 신뢰할 수 있는 드롭인, 핀 간 호환 교체를 제공합니다.

특징

  • 동기식 인터페이스를 사용하는 1M(AS4C4M16D1), 2M(AS4C8M16D1), 4M(AS4C16M16D1), 8M(AS4C32M16D1) 또는 16M(AS4C64M16D1) x 16비트의 4개 뱅크로 내부적으로 구성됨
  • 2, 4 또는 8의 프로그래밍 가능 읽기 또는 쓰기 버스트 길이
  • 자동 사전 충전 기능은 버스트 시퀀스의 끝에서 자가 타이밍 행 사전 충전을 시작함
  • 사용이 쉬운 리프레시 기능은 자동 리프레시 또는 자가 리프레시를 포함함
  • 프로그래밍 가능 모드 레지스터를 통해 시스템은 성능을 최적화하는 데 가장 적합한 모드를 선택할 수 있음
  • 200MHz 및 166MHz의 빠른 클록 속도
  • 400Mbps/핀 데이터 전송률
  • +2.5V(±0.2V)의 단일 전원 공급으로 작동
  • 무연(Pb) 및 무할로겐
응용 분야
 온도 범위
  • 의료
  • 통신
  • 산업
  • 소비자 가전
  • PC 응용 제품
  • 상업용(0°C ~ +70°C)
  • 산업용(-40°C ~ +95°C)
  • 자동차(-40°C ~ 105°C)(AS4C4M16D1A-5TAN만 해당)

AS4C16M16D1 Series Memory DRAM ICs

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AS4C32M16D1 Series Memory DRAM ICs

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AS4C4M16D1 Series Memory DRAM ICs

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AS4C64M16D1 Series Memory DRAM ICs

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게시 날짜: 2016-02-24

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