Alliance Memory, Inc.

고속 CMOS DDR SDRAM

Alliance Memory의 AS4C32M8D1/16D1 및 AS4C64M8D1/16D1 고속 CMOS DDR SDRAM

Alliance Memory의 AS4C32M8D1/16D1 고속 CMOS DDR SDRAM 이미지Alliance Memory의 AS4C32M8D1, AS4C32M16D1A, AS4C64M8D1, AS4C64M16D 고속 CMOS 이중 데이터 전송률 동기식 DRAM(DDR SDRAM)은 64M(4M x 16)/(2M x 32), 128M(8M x 16)/(4M x 32) 밀도의 기존 DDR1 포트폴리오에 각각 256MB, 512MB, 1GB의 밀도를 추가합니다. 이 장치는 높은 메모리 대역폭을 필요로 하는 산업, 의료, 통신, 전기 통신의 여러 유사한 솔루션에 대해 신뢰할 수 있는 드롭인, 핀 간 호환 교체를 제공하며 PC 응용 제품의 고성능에 특히 적합합니다.

특징 및 이점
  • 60볼 8mm x 13mm x 1.2mm TFBGA 패키지 및 66핀 TSOP II 패키지(0.65mm 핀 피치)로 제공됨
  • 동기식 인터페이스를 사용하는 32M 워드 x 8비트(AS4C32M8D1), 64M 워드 x 8비트(AS4C64M8D1), 64M 워드 x 16비트(AS4C64M16D1)의 4개 뱅크로 내부적으로 구성됨
  • 상업(0°C ~ +70°C) 및 산업(-40°C ~ +85°C) 온도 범위로 제공됨
  • 2, 4 또는 8의 프로그래밍 가능 읽기 또는 쓰기 버스트 길이
  • 자동 사전 충전 기능은 버스트 시퀀스의 끝에서 자가 타이밍 행 사전 충전을 시작함
  • 사용이 쉬운 리프레시 기능은 자동 리프레시 또는 자가 리프레시를 포함함
  • 프로그래밍 가능 모드 레지스터를 통해 시스템은 성능을 최적화하는 데 가장 적합한 모드를 선택할 수 있음
  • 200MHz 및 166MHz의 빠른 클록 속도
  • 단일 +2.5V(± 0.2V) 전원 공급 장치로 작동
  • 무연 및 무할로겐

High-Speed CMOS DDR SDRAMs

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격세부 정보 보기
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IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP IIAS4C64M16D1-6TCNIC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II51 - 즉시$56,139.00세부 정보 보기
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게시 날짜: 2016-02-24

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