온칩 오류 정정 코드(ECC)를 탑재한 DRAM
게시 날짜: 2025-03-10
온칩 오류 정정 코드(ECC)가 탑재된 ISSI DRAM은 시스템 설계를 단순화하고, 전력을 절약하며, 메모리 실장 비중 온보드를 줄입니다.
ISSI 직렬 NAND 플래시 장치는 x1, x2, x4를 지원하는 고밀도 SPI 호환 솔루션을 제공하며 산업 및 자동차 응용 분야에 이상적입니다.
ISSI's brochure for their low pin count RAM solutions.
직렬 RAM 및 쿼드 RAM 솔루션
게시 날짜: 2024-04-04
ISSI의 직렬 RAM 및 쿼드 RAM은 의료 및 웨어러블 응용 분야에 이상적인 핀 수가 적은 RAM 솔루션을 제공합니다.
ISSI's brochure for their serial and quad RAM products.
Today, ISSI offers 3.3V SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, as well as Low Power SDRAM, LPDDR and LPDDR2 DRAM.
ISSI's automotive memory solutions.
ISSI eMMC NAND Flash Memory offers unparalleled performance and endurance, including an enhanced mode that allows configuration as a pseudo-SLC.
eMMC NAND 플래시 메모리
게시 날짜: 2023-03-15
ISSI의 eMMC NAND 플래시 메모리 장치는 향상된 읽기/쓰기 성능을 위해 장치를 부정형 SLC(pSLC)로 구성할 수 있는 고급 모드를 지원합니다.
ISSI introduces its new Family of IS25LP and IS25WP/WJ series of flash devices. The family builds upon the success of ISSI’s IS25LQ and IS25WQ family by introducing leading edge features such as double data rate* interface modes, SFDP support, and the popular 2 cycle instruction input.
The ISSI LPDDR4 and LPDDR4X are low-voltage memory devices available in 2, 4, and 8 gigabit densities. The devices are organized as one or two channels per device where each channel is eight banks and 16-bits.
설계자는 저전력 디지털 신호 프로세서에서 실행되는 독점 알고리즘을 기반으로 한 드롭인 키트를 사용하여 점유 모니터링을 빠르게 구현할 수 있습니다.
특수 프로세서 및 소프트웨어 라이브러리를 통해, 더 간단하고 안전한 안면 기반 인증 대체품을 제작할 수 있습니다.
LPDDR4/4X 모바일 SDRAM
게시 날짜: 2020-08-14
ISSI의 LPDDR4/4X 모바일 SDRAM은 2배 데이터 속도 아키텍처를 사용하여 고속 작업을 수행하며 2Gb, 4Gb 및 8Gb 밀도로 제공됩니다.
내장형 시스템의 최적 에너지 프로파일을 위해 RISC-V를 사용하여 명령어 세트와 하드웨어를 맞춤 설정합니다.
내장형 메모리의 기본 사항(EEPROM, FRAM, eMMC 및 SD 카드 비교)을 이해하여 무엇을, 어디서, 어떻게 사용해야 하는지 알아봅니다.