단일 FET, MOSFET

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제조업체 부품 번호	주문 가능 수량	가격	계열	포장	제품 현황	FET 유형	기술	드레인 - 소스 전압(Vdss)	전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(th)(최대) @ Id	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	FET 특징	내전력(최대)	작동 온도	등급	인증	실장 유형	공급 장치 패키지	패키지/케이스
IMBF170R1K0M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 Infineon Technologies	425 재고 있음	1 : ₩7,307.00000 컷 테이프(CT) 1,000 : ₩2,655.76400 테이프 및 릴(TR)	CoolSiC™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1700 V	5.2A(Tc)	12V, 15V	1000m옴 @ 1A, 15V	5.7V @ 1.1mA	5 nC @ 12 V	+20V, -10V	275 pF @ 1000 V	-	68W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	표면 실장	PG-TO263-7-13	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
MSC750SMA170B SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3 Microchip Technology	475 재고 있음	1 : ₩8,096.00000 튜브	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1700 V	7A(Tc)	20V	940m옴 @ 2.5A, 20V	3.25V @ 100µA(통상)	11 nC @ 20 V	+23V, -10V	184 pF @ 1360 V	-	68W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247-3	TO-247-3
MSC750SMA170B4 TRANS SJT 1700V TO247-4 Microchip Technology	419 재고 있음	1 : ₩8,349.00000 튜브	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1700 V	7A(Tc)	20V	940m옴 @ 2.5A, 20V	3.25V @ 100µA(통상)	11 nC @ 20 V	+23V, -10V	184 pF @ 1360 V	-	68W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247-4	TO-247-4
IMBF170R650M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 Infineon Technologies	1,477 재고 있음	1 : ₩8,423.00000 컷 테이프(CT) 1,000 : ₩3,219.43500 테이프 및 릴(TR)	CoolSiC™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1700 V	7.4A(Tc)	12V, 15V	650m옴 @ 1.5A, 15V	5.7V @ 1.7mA	8 nC @ 12 V	+20V, -10V	422 pF @ 1000 V	-	88W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	표면 실장	PG-TO263-7-13	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
IMBF170R450M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 Infineon Technologies	1,421 재고 있음	1 : ₩10,001.00000 컷 테이프(CT) 1,000 : ₩4,048.19100 테이프 및 릴(TR)	CoolSiC™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1700 V	9.8A(Tc)	12V, 15V	450m옴 @ 2A, 15V	5.7V @ 2.5mA	11 nC @ 12 V	+20V, -10V	610 pF @ 1000 V	-	107W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	표면 실장	PG-TO263-7-13	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
SCT2H12NZGC11 SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM Rohm Semiconductor	453 재고 있음	1 : ₩10,254.00000 튜브	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1700 V	3.7A(Tc)	18V	1.5옴 @ 1.1A, 18V	4V @ 900µA	14 nC @ 18 V	+22V, -6V	184 pF @ 800 V	-	35W(Tc)	175°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-3PFM	TO-3PFM, SC-93-3
G3R160MT12J-TR 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF GeneSiC Semiconductor	2,210 재고 있음	1 : ₩10,805.00000 컷 테이프(CT) 800 : ₩8,110.92625 테이프 및 릴(TR)	G3R™, LoRing™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	19A(Tc)	15V, 18V	180m옴 @ 10A, 18V	2.7V @ 5mA	23 nC @ 15 V	+22V, -10V	724 pF @ 800 V	-	110W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	표면 실장	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
IMBG120R078M2HXTMA1 SICFET N-CH 1200V 29A TO263 Infineon Technologies	829 재고 있음	1 : ₩10,834.00000 컷 테이프(CT) 1,000 : ₩4,502.10500 테이프 및 릴(TR)	CoolSiC™ G2	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	29A(Tc)	15V, 18V	78.1m옴 @ 8.9A, 18V	5.1V @ 2.8mA	20.6 nC @ 18 V	+23V, -10V	700 pF @ 800 V	-	158W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	표면 실장	PG-TO263-7-12	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
C3M0350120D SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 Wolfspeed, Inc.	880 재고 있음	1 : ₩11,058.00000 튜브	C3M™	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	7.6A(Tc)	15V	455m옴 @ 3.6A, 15V	3.6V @ 1mA	19 nC @ 15 V	+15V, -4V	345 pF @ 1000 V	-	50W(Tc)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247-3	TO-247-3
IMBG65R040M2HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	1,905 재고 있음	1 : ₩12,442.00000 컷 테이프(CT) 1,000 : ₩5,403.97800 테이프 및 릴(TR)	CoolSiC™ Gen 2	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	650 V	49A(Tc)	15V, 20V	49m옴 @ 22.9A, 18V	5.6V @ 4.6mA	28 nC @ 18 V	+23V, -7V	997 pF @ 400 V	-	197W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	표면 실장	PG-TO263-7-12	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
IMBG120R053M2HXTMA1 SICFET N-CH 1200V 41A TO263 Infineon Technologies	739 재고 있음	1 : ₩12,858.00000 컷 테이프(CT) 1,000 : ₩5,651.21900 테이프 및 릴(TR)	CoolSiC™ G2	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	41A(Tc)	15V, 18V	52.6m옴 @ 13.2A, 18V	5.1V @ 4.1mA	30 nC @ 18 V	+23V, -10V	1010 pF @ 800 V	-	205W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	표면 실장	PG-TO263-7-12	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
UF3C120400B7S SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7 onsemi	961 재고 있음 38,400 공장	1 : ₩12,873.00000 컷 테이프(CT) 800 : ₩5,655.31250 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	SiCFET(캐스코드 SiCJFET)	1200 V	7.6A(Tc)	12V	515m옴 @ 5A, 12V	6V @ 10mA	22.5 nC @ 15 V	±25V	739 pF @ 800 V	-	100W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	표면 실장	D2PAK-7	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
UF3C170400K3S SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3 onsemi	69,011 재고 있음 27,000 공장	1 : ₩13,603.00000 튜브	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(캐스코드 SiCJFET)	1700 V	7.6A(Tc)	12V	515m옴 @ 5A, 12V	6V @ 10mA	27.5 nC @ 15 V	±25V	740 pF @ 100 V	-	100W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247-3	TO-247-3
G3R60MT07K 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET GeneSiC Semiconductor	1,052 재고 있음	1 : ₩15,478.00000 튜브	G3R™	튜브	활성	-	SiCFET(실리콘 카바이드)	750 V	-	-	-	-	-	+20V, -10V	-	-	-	-	-	-	스루홀	TO-247-4	TO-247-4
G3R75MT12D SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3 GeneSiC Semiconductor	2,010 재고 있음	1 : ₩15,627.00000 튜브	G3R™	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	41A(Tc)	15V	90m옴 @ 20A, 15V	2.69V @ 7.5mA	54 nC @ 15 V	+22V, -10V	1560 pF @ 800 V	-	207W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247-3	TO-247-3
UF3C170400B7S SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7 onsemi	3,511 재고 있음 4,800 공장	1 : ₩15,820.00000 컷 테이프(CT) 800 : ₩7,422.59750 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	SiCFET(캐스코드 SiCJFET)	1700 V	7.6A(Tc)	12V	515m옴 @ 5A, 12V	6V @ 10mA	23.1 nC @ 15 V	±25V	734 pF @ 1200 V	-	100W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	표면 실장	D2PAK-7	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
NTHL040N120M3S SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3 onsemi	845 재고 있음 284,400 공장	1 : ₩16,386.00000 튜브	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	54A(Tc)	18V	54m옴 @ 20A, 18V	4.4V @ 10mA	75 nC @ 18 V	+22V, -10V	1700 pF @ 800 V	-	231W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247-3	TO-247-3
AIMCQ120R060M1TXTMA1 SIC_DISCRETE Infineon Technologies	2,467 재고 있음	1 : ₩16,460.00000 컷 테이프(CT) 750 : ₩7,813.26000 테이프 및 릴(TR)	CoolSiC™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	44A(Tc)	18V, 20V	75m옴 @ 13A, 20V	5.1V @ 4.3mA	32 nC @ 20 V	+25V, -10V	880 pF @ 800 V	-	259W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	자동차	AEC-Q101	표면 실장	PG-HDSOP-22	22-PowerBSOP 모듈
UJ3C065080K3S MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 onsemi	226 재고 있음 42,300 공장	1 : ₩16,817.00000 튜브	-	튜브	활성	N채널	SiCFET(캐스코드 SiCJFET)	650 V	31A(Tc)	12V	111m옴 @ 20A, 12V	6V @ 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	190W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247-3	TO-247-3
C3M0060065J SICFET N-CH 650V 36A TO263-7 Wolfspeed, Inc.	2,758 재고 있음	1 : ₩17,531.00000 튜브	C3M™	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	650 V	36A(Tc)	15V	79m옴 @ 13.2A, 15V	3.6V @ 5mA	46 nC @ 15 V	+15V, -4V	1020 pF @ 600 V	-	136W(Tc)	-40°C ~ 175°C(TJ)	-	-	표면 실장	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
NTBG030N120M3S SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E onsemi	1,284 재고 있음 24,800 공장	1 : ₩18,008.00000 컷 테이프(CT) 800 : ₩8,786.01125 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	77A(Tc)	18V	39m옴 @ 30A, 18V	4.4V @ 15mA	107 nC @ 18 V	+22V, -10V	2430 pF @ 800 V	-	348W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	표면 실장	D2PAK-7	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
NVBG160N120SC1 SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK onsemi	977 재고 있음	1 : ₩18,112.00000 컷 테이프(CT) 800 : ₩8,852.42375 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1200 V	19.5A(Tc)	20V	224m옴 @ 12A, 20V	4,3V @ 2,5mA	33.8 nC @ 20 V	+25V, -15V	678 pF @ 800 V	-	136W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	자동차	AEC-Q101	표면 실장	D2PAK-7	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
G3R160MT17D SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3 GeneSiC Semiconductor	598 재고 있음	1 : ₩18,216.00000 튜브	G3R™	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	1700 V	21A(Tc)	15V	208m옴 @ 12A, 15V	2.7V @ 5mA	51 nC @ 15 V	±15V	1272 pF @ 1000 V	-	175W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-247-3	TO-247-3
IMZA65R026M2HXKSA1 IMZA65R026M2HXKSA1 Infineon Technologies	141 재고 있음	1 : ₩18,305.00000 튜브	CoolSiC™	튜브	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	650 V	64A(Tc)	15V, 20V	24m옴 @ 34.5A, 20V	5.6V @ 7mA	42 nC @ 18 V	+23V, -7V	1499 pF @ 400 V	-	227W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	스루홀	PG-TO247-4-8	TO-247-4
IMBG40R015M2HXTMA1 SIC-MOS Infineon Technologies	1,081 재고 있음	1 : ₩18,529.00000 컷 테이프(CT) 1,000 : ₩9,116.78000 테이프 및 릴(TR)	CoolSiC™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	SiCFET(실리콘 카바이드)	400 V	11.7A(Ta), 111A(Tc)	15V, 18V	19.1m옴 @ 27.1A, 18V	5.6V @ 9.7mA	62 nC @ 18 V	+23V, -7V	2730 pF @ 200 V	-	3.8W(Ta), 341W(Tc)	-55°C ~ 175°C(TJ)	-	-	표면 실장	PG-TO263-7-11	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA

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단일 전계 효과 트랜지스터(FET)와 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다.

단일 FET는 게이트 단자에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장을 통해 소스와 드레인 단자 사이의 전류 흐름을 제어하여 작동합니다. FET의 주요 장점은 높은 입력 임피던스로, 신호 증폭 및 아날로그 회로에 사용하기에 이상적입니다. 전자 회로의 증폭기, 발진기, 버퍼 단계와 같은 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

FET의 한 종류인 MOSFET은 얇은 산화물층에 의해 게이트 단자가 채널로부터 절연되어 있어 성능을 향상하고 효율을 높입니다. MOSFET은 다음 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

n채널 MOSFET: 전자가 주요 캐리어입니다.
p채널 MOSFET: 홀이 주요 캐리어입니다.

MOSFET은 낮은 전력 소비, 고속 스위칭 및 대용량 전류와 전압을 처리하는 성능 덕분에 많은 응용 분야에서 사용됩니다. 전원 공급 장치, 모터 구동기, 무선 주파수 응용 제품을 포함한 디지털 및 아날로그 회로에서 매우 중요합니다.

MOSFET의 작동은 두 가지 모드로 분류할 수 있습니다.

인핸스먼트 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 꺼집니다. 켜지려면 n채널에서는 양의 게이트-소스 전압이, p채널에서는 음의 게이트-소스 전압이 필요합니다.
공핍 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 켜집니다. 역극성의 게이트-소스 전압을 인가하면 끌 수 있습니다.

MOSFET은 다음과 같은 여러 가지 장점을 제공합니다.