단일 양극 트랜지스터

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제조업체 부품 번호	주문 가능 수량	가격	계열	포장	제품 현황	트랜지스터 유형	전류 - 콜렉터(Ic)(최대)	전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)	Vce 포화(최대) @ Ib, Ic	전류 - 콜렉터 차단(최대)	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전력 - 최대	주파수 - 트랜지션	작동 온도	등급	인증	실장 유형	패키지/케이스	공급 장치 패키지
2N3055G TRANS NPN 60V 15A TO204 onsemi	974 재고 있음	1 : ₩8,260.00000 트레이	-	트레이	활성	NPN	15 A	60 V	3V @ 3.3A, 10A	700µA	20 @ 4A, 4V	115 W	2.5MHz	-65°C ~ 200°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-204AA, TO-3	TO-204(TO-3)
2N3055 TRANS NPN 60V 15A TO-3 EVVO	349 재고 있음	1 : ₩9,391.00000 트레이	-	트레이	활성	NPN	15 A	60 V	3V @ 3.3A, 10A	700µA	20 @ 4A, 4V	115 W	2.5MHz	200°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-204AA, TO-3	TO-3
2N3055AG TRANS NPN 60V 15A TO204 onsemi	63 재고 있음	1 : ₩10,820.00000 트레이	-	트레이	활성	NPN	15 A	60 V	5V @ 7A, 15A	700µA	10 @ 4A, 2V	115 W	6MHz	-65°C ~ 200°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-204AA, TO-3	TO-204(TO-3)
2N3055H TRANS NPN 60V 15A TO204 onsemi	0 재고 있음	400 : ₩1,882.51250 트레이	-	트레이	단종	NPN	15 A	60 V	3V @ 3.3A, 10A	700µA	20 @ 4A, 4V	115 W	2.5MHz	-65°C ~ 200°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-204AA, TO-3	TO-204(TO-3)
2N3055 TRANS NPN 70V 15A TO-3 Microchip Technology	0 재고 있음 리드 타임 확인	100 : ₩67,670.57000 벌크	-	벌크	활성	NPN	15 A	70 V	2V @ 3.3A, 10A	1mA	20 @ 4A, 4V	6 W	-	-65°C ~ 200°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-204AA, TO-3	TO-3
JAN2N3055 TRANS NPN 70V 15A TO3 Microchip Technology	0 재고 있음 리드 타임 확인	100 : ₩69,069.22000 벌크	-	벌크	활성	NPN	15 A	70 V	2V @ 3.3A, 10A	1mA	20 @ 4A, 4V	6 W	-	-65°C ~ 200°C(TJ)	군사용	MIL-PRF-19500/407	스루홀	TO-3	TO-3(TO-204AA)
JANTX2N3055 TRANS NPN 70V 15A TO3 Microchip Technology	0 재고 있음	100 : ₩72,417.91000 벌크	-	벌크	단종	NPN	15 A	70 V	2V @ 3.3A, 10A	1mA	20 @ 4A, 4V	6 W	-	-65°C ~ 200°C(TJ)	군사용	MIL-PRF-19500/407	스루홀	TO-204AA, TO-3	TO-3(TO-204AA)
JANTXV2N3055 TRANS NPN 70V 15A TO3 Microchip Technology	0 재고 있음	100 : ₩97,494.60000 벌크	-	벌크	단종	NPN	15 A	70 V	2V @ 3.3A, 10A	1mA	20 @ 4A, 4V	6 W	-	-65°C ~ 200°C(TJ)	군사용	MIL-PRF-19500/407	스루홀	TO-3	TO-3(TO-204AA)
2N3055 TRANS NPN 60V 15A TO-3 STMicroelectronics	0 재고 있음	단종	-	트레이	단종	NPN	15 A	60 V	3V @ 3.3A, 10A	700µA	20 @ 4A, 4V	115 W	-	200°C(TJ)	-	-	섀시 실장	TO-204AA, TO-3	TO-3
2N3055HG TRANS NPN 60V 15A TO204 onsemi	0 재고 있음	단종	-	트레이	단종	NPN	15 A	60 V	3V @ 3.3A, 10A	700µA	20 @ 4A, 4V	115 W	2.5MHz	-65°C ~ 200°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-204AA, TO-3	TO-204(TO-3)
2N3055 PBFREE TRANS NPN 70V 15A TO-3 Central Semiconductor Corp	0 재고 있음	단종	-	벌크	단종	NPN	15 A	70 V	3V @ 3.3A, 10A	700µA	20 @ 4A, 4V	115 W	2.5MHz	-65°C ~ 200°C(TJ)	-	-	스루홀	TO-204AA, TO-3	TO-3
CP235-2N3055-CT TRANS NPN 60V 15A DIE Central Semiconductor Corp	0 재고 있음	단종	-	벌크	단종	NPN	15 A	60 V	3V @ 3.3A, 10A	700µA	20 @ 4A, 4V	115 W	2.5MHz	-65°C ~ 200°C(TJ)	-	-	표면 실장	다이	다이

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이산 소자 양극 접합 트랜지스터(BJT)는 대개 오디오, 무선 통신, 기타 응용 제품에서 아날로그 시그널 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 중 하나인 이산 소자 BJT의 특성은 고전류 또는 전압으로 고주파 전환과 작동이 필요한 응용 분야에 사용되는 다른 장치 유형보다는 떨어지지만, 잡음과 왜곡을 최소화하면서 아날로그 신호를 재생산해야 하는 응용 분야에서 선호하는 기술입니다. BJT는 트랜지스터를 구성하는 반도체 층의 순서를 나타내는 NPN과 PNP의 두 가지 종류로 제공됩니다. NPN 트랜지스터는 두 개의 N형 물질 사이의 얇은 P형 반도체로 구성되어 있으며, PNP 트랜지스터는 두 개의 P형 사이에 N형 반도체가 있습니다. 이는 두 가지 유형의 반대 극성 작동을 제공합니다. NPN 트랜지스터는 전류를 싱크하고, PNP 트랜지스터는 전류를 소싱합니다.