eGaN® Basics
EPC
This tutorial covers the basics of EPC’s enhancement mode gallium nitride (eGaN®) transistors. EPC’s eGaN® transistors give the design engineer a whole new spectrum of performance compared with silicon power MOSFETs. These advantages can be applied to gain efficiency advantages, size advantages, or a combination of both.
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| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 기능 | 임베디드 | 사용 IC/부품 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
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![]() | ![]() | EPC9001 | EVAL BOARD FOR EPC2015 | 하프 H 브리지 구동기(외부 FET) | 없음 | EPC2015 | 0 - 즉시 | $137,592.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | EPC9017 | EVAL BOARD FOR EPC2001 | 하프 H 브리지 구동기(외부 FET) | 없음 | EPC2001 | 0 - 즉시 | $181,545.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | EPC9027 | EVAL BOARD FOR EPC8007 | 하프 H 브리지 구동기(외부 FET) | 없음 | EPC8007 | 0 - 즉시 | $219,765.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | EPC9002 | EVAL BOARD FOR EPC2001 | 하프 H 브리지 구동기(외부 FET) | 없음 | EPC2001 | 0 - 즉시 | $137,592.00 | 세부 정보 보기 |
PTM Published on: 2010-09-27




