eGaN Basics

eGaN® Basics

EPC

This tutorial covers the basics of EPC’s enhancement mode gallium nitride (eGaN®) transistors. EPC’s eGaN® transistors give the design engineer a whole new spectrum of performance compared with silicon power MOSFETs. These advantages can be applied to gain efficiency advantages, size advantages, or a combination of both.

Related Parts

이미지제조업체 부품 번호제품 요약기능임베디드사용 IC/부품주문 가능 수량가격세부 정보 보기
EVAL BOARD FOR EPC2015EPC9001EVAL BOARD FOR EPC2015하프 H 브리지 구동기(외부 FET)없음EPC20150 - 즉시$135,532.80세부 정보 보기
EVAL BOARD FOR EPC2001EPC9017EVAL BOARD FOR EPC2001하프 H 브리지 구동기(외부 FET)없음EPC20010 - 즉시$178,828.00세부 정보 보기
EVAL BOARD FOR EPC8007EPC9027EVAL BOARD FOR EPC8007하프 H 브리지 구동기(외부 FET)없음EPC80070 - 즉시$216,476.00세부 정보 보기
EVAL BOARD FOR EPC2001EPC9002EVAL BOARD FOR EPC2001하프 H 브리지 구동기(외부 FET)없음EPC20010 - 즉시$135,532.80세부 정보 보기
PTM Published on: 2010-09-27

Related Articles and Blogs

DigiKey에서 주문 가능한 전력 GaN 제품 및 관련 자료 GaN이 전력 설계에 영향을 미치기 시작했습니다. 이 블로그에서는 그 배경 정보를 간략하게 제공하고 DigiKey에서 현재 주문 가능한 몇 가지 관련 GaN 제품과 관련 자료에 대해 설명합니다.
High-Step-Down-Ratio Buck Converters for Intermediate Bus Architectures Solutions for the design challenges of high-step-down-ratio DC/DC buck converters including Silicon & eGan FETs.

Related Product Training Modules

Driving eGaN FETs with the LM5113 The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.
Driving eGaN® Power Transistors EPC brings enhancement mode to GaN giving the design engineer a whole new spectrum of performance compared with silicon power MOSFETs.
eGan® FET's Characteristics The operation of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors.