단일 FET, MOSFET

보기

/ 44,474

제조업체 부품 번호	주문 가능 수량	가격	계열	포장	제품 현황	FET 유형	기술	드레인 - 소스 전압(Vdss)	전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(th)(최대) @ Id	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	FET 특징	내전력(최대)	작동 온도	등급	인증	실장 유형	공급 장치 패키지	패키지/케이스
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	220,208 재고 있음	1 : ₩191.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩32.97600 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVII-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	200mA(Ta)	4.5V, 10V	3.9옴 @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	504,126 재고 있음	1 : ₩206.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩37.47267 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	115mA(Ta)	5V, 10V	7.5옴 @ 50mA, 5V	2.5V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Infineon Technologies	161,677 재고 있음	1 : ₩206.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩59.95633 테이프 및 릴(TR)	OptiMOS™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	100 V	190mA(Ta)	4.5V, 10V	6옴 @ 190mA, 10V	1.8V @ 13µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	20.9 pF @ 25 V	-	500mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	자동차	AEC-Q101	표면 실장	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN53D0LW-7 MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Diodes Incorporated	132,366 재고 있음	1 : ₩206.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩53.96067 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	360mA(Ta)	5V, 10V	2옴 @ 270mA, 10V	1.5V @ 100µA	1.2 nC @ 10 V	±20V	45.8 pF @ 25 V	-	320mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMG2305UX-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	72,844 재고 있음	1 : ₩206.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩72.52067 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	4.2A(Ta)	1.8V, 4.5V	52m옴 @ 4.2A, 4.5V	900mV @ 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	±8V	808 pF @ 15 V	-	1.4W(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	934,228 재고 있음	1 : ₩220.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩43.46833 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	200mA(Ta)	10V	3.5옴 @ 220mA, 10V	1.5V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	451,120 재고 있음	1 : ₩220.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩32.97600 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVII-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	400mA(Ta)	4.5V, 10V	1.5옴 @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTR4003NT3G MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 onsemi	103,793 재고 있음	1 : ₩220.00000 컷 테이프(CT) 10,000 : ₩61.45530 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	500mA(Ta)	2.5V, 4V	1.5옴 @ 10mA, 4V	1.4V @ 250µA	1.15 nC @ 5 V	±20V	21 pF @ 5 V	-	690mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3(TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	169,665 재고 있음 120,000 공장	1 : ₩235.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩83.32167 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	130mA(Ta)	5V	10옴 @ 100mA, 5V	2V @ 250µA	-	±20V	30 pF @ 5 V	-	225mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3(TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM6K217FE,LF MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	21,923 재고 있음	1 : ₩235.00000 컷 테이프(CT) 4,000 : ₩124.40950 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVII-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	1.8A(Ta)	1.8V, 8V	195m옴 @ 1A, 8V	1.2V @ 1mA	1.1 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	500mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	ES6	SOT-563, SOT-666
2N7002K-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Diodes Incorporated	315,446 재고 있음	1 : ₩250.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩44.96733 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	380mA(Ta)	5V, 10V	2옴 @ 500mA, 10V	2.5V @ 1mA	0.3 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	215,390 재고 있음	1 : ₩250.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩47.13733 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	190mA(Ta), 300mA(Tc)	5V, 10V	4.5옴 @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	20 pF @ 10 V	-	265mW(Ta), 1.33W(Tc)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	76,277 재고 있음	1 : ₩250.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩117.30700 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	4.3A(Ta)	1.8V, 4.5V	45m옴 @ 4A, 4.5V	1V @ 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Infineon Technologies	433,346 재고 있음	1 : ₩265.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩59.95633 테이프 및 릴(TR)	OptiMOS™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	1.4A(Ta)	4.5V, 10V	160m옴 @ 1.4A, 10V	2V @ 3.7µA	0.6 nC @ 5 V	±20V	94 pF @ 15 V	-	500mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	자동차	AEC-Q101	표면 실장	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	140,949 재고 있음 30,000 공장	1 : ₩265.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩46.46633 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	260mA(Ta)	4.5V, 10V	2.5옴 @ 240mA, 10V	2.5V @ 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW(Tj)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3(TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	128,959 재고 있음 11,784,000 공장	1 : ₩265.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩55.54800 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	130mA(Ta)	5V	10옴 @ 100mA, 5V	2V @ 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-TP MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	93,363 재고 있음	1 : ₩265.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩50.96300 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	220mA(Tj)	4.5V, 10V	3.5옴 @ 220mA, 10V	1.5V @ 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138W-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Diodes Incorporated	109,520 재고 있음	1 : ₩279.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩50.96300 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	200mA(Ta)	10V	3.5옴 @ 220mA, 10V	1.5V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	200mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMG2302UKQ-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3 Diodes Incorporated	16,232 재고 있음	1 : ₩279.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩208.81867 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	2.8A(Ta)	2.5V, 4.5V	90m옴 @ 3.6A, 4.5V	1V @ 250µA	2.8 nC @ 10 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	660mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	자동차	AEC-Q101	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	346,907 재고 있음	1 : ₩294.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩40.47067 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	200mA(Ta)	1.2V, 2.5V	1.2옴 @ 100mA, 2.5V	1V @ 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	EMT3F(SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
DMN6140L-7 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 Diodes Incorporated	28,737 재고 있음	1 : ₩294.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩92.93233 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	1.6A(Ta)	4.5V, 10V	140m옴 @ 1.8A, 10V	3V @ 250µA	8.6 nC @ 10 V	±20V	315 pF @ 40 V	-	700mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2302UK-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Diodes Incorporated	16,832 재고 있음	1 : ₩294.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩70.44867 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	2.8A(Ta)	2.5V, 4.5V	90m옴 @ 3.6A, 4.5V	1V @ 250µA	2.8 nC @ 10 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	660mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	자동차	AEC-Q101	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTA7002NT1G MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 onsemi	143,809 재고 있음	1 : ₩309.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩62.95433 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	154mA(Tj)	2.5V, 4.5V	7옴 @ 154mA, 4.5V	1.5V @ 100µA	-	±10V	20 pF @ 5 V	-	300mW(Tj)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SC-75, SOT-416	SC-75, SOT-416
ZXM61N03FTA MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Diodes Incorporated	69,804 재고 있음	1 : ₩309.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩224.83667 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	1.4A(Ta)	4.5V, 10V	220m옴 @ 910mA, 10V	1V @ 250µA	4.1 nC @ 10 V	±20V	150 pF @ 25 V	-	625mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	50,791 재고 있음	1 : ₩309.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩46.29000 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	460mA(Ta)	1.8V, 4.5V	700m옴 @ 350mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	±6V	59.76 pF @ 16 V	-	270mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-523	SOT-523

보기

/ 44,474

단일 전계 효과 트랜지스터(FET)와 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다.

단일 FET는 게이트 단자에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장을 통해 소스와 드레인 단자 사이의 전류 흐름을 제어하여 작동합니다. FET의 주요 장점은 높은 입력 임피던스로, 신호 증폭 및 아날로그 회로에 사용하기에 이상적입니다. 전자 회로의 증폭기, 발진기, 버퍼 단계와 같은 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

FET의 한 종류인 MOSFET은 얇은 산화물층에 의해 게이트 단자가 채널로부터 절연되어 있어 성능을 향상하고 효율을 높입니다. MOSFET은 다음 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

n채널 MOSFET: 전자가 주요 캐리어입니다.
p채널 MOSFET: 홀이 주요 캐리어입니다.

MOSFET은 낮은 전력 소비, 고속 스위칭 및 대용량 전류와 전압을 처리하는 성능 덕분에 많은 응용 분야에서 사용됩니다. 전원 공급 장치, 모터 구동기, 무선 주파수 응용 제품을 포함한 디지털 및 아날로그 회로에서 매우 중요합니다.

MOSFET의 작동은 두 가지 모드로 분류할 수 있습니다.

인핸스먼트 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 꺼집니다. 켜지려면 n채널에서는 양의 게이트-소스 전압이, p채널에서는 음의 게이트-소스 전압이 필요합니다.
공핍 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 켜집니다. 역극성의 게이트-소스 전압을 인가하면 끌 수 있습니다.

MOSFET은 다음과 같은 여러 가지 장점을 제공합니다.