Name: SIZ200DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ200DT-T1-GE3TR-ND
Price: 2322 KRW
Availability: OutOfStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

SIZ200DT-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SIZ200DT-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SIZ200DT-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SIZ200DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SIZ200DT-T1-GE3
제품 요약	MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
제조업체 표준 리드 타임	33주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 30V 22A(Ta), 61A(Tc), 22A(Ta), 60A(Tc) 4.3W(Ta), 33W(Tc) 표면 실장 8-PowerPair®(3.3x3.3)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SIZ200DT-T1-GE3 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Vishay Siliconix
계열	TrenchFET® Gen IV
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	2 N-Chan(이중)
FET 특징	-
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	22A(Ta), 61A(Tc), 22A(Ta), 60A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs	5.5m옴 @ 10A, 10V, 5.8m옴 @ 10A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	28nC(10V), 30nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
전력 - 최대	4.3W(Ta), 33W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	8-PowerWDFN
공급 장치 패키지	8-PowerPair®(3.3x3.3)
기준 제품 번호	SIZ200