Name: VS-GT300YH120N
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: VS-GT300YH120N-ND
Price: 315315 KRW
Availability: OutOfStock

IGBT 모듈 Trench 하프브리지 1200 V 341 A 1042 W 섀시 실장 더블 INT-A-PAK

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VS-GT300YH120N
DigiKey 제품 번호	VS-GT300YH120N-ND
제조업체	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
제조업체 제품 번호	VS-GT300YH120N
제품 요약	IGBT MODULE 1200V 341A INT-A-PAK
제조업체 표준 리드 타임	21주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	IGBT 모듈 Trench 하프브리지 1200 V 341 A 1042 W 섀시 실장 더블 INT-A-PAK
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 IGBT IGBT 모듈	전류 - 콜렉터 차단(최대) 300 µA
제조업체 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	입력 정전 용량(Cies) @ Vce 36 nF @ 30 V
포장 벌크	입력 표준
부품 현황 활성	NTC 서미스터 없음
IGBT 유형 Trench	작동 온도 -40°C ~ 150°C(TJ)
구성 하프브리지	실장 유형 섀시 실장
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) 1200 V	패키지/케이스 더블 INT-A-PAK(3 + 8)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 341 A	공급 장치 패키지 더블 INT-A-PAK
전력 - 최대 1042 W	기준 제품 번호 GT300
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 2.17V @ 15V, 300A(통상)