VS-ETF150Y65U Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 이산 반도체 제품

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VS-ETF150Y65U
DigiKey 제품 번호	VS-ETF150Y65U-ND
제조업체	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
제조업체 제품 번호	VS-ETF150Y65U
제품 요약	IGBT MODULE 650V 142A EMIPAK-2B
고객 참조 번호
제품 세부 정보	IGBT 모듈 Trench 3레벨 인버터 650 V 142 A 417 W 섀시 실장 EMIPAK-2B
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 IGBT IGBT 모듈
제조업체	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
계열	-
포장	트레이
부품 현황	단종
IGBT 유형	Trench
구성	3레벨 인버터
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)	650 V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)	142 A
전력 - 최대	417 W
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	2.06V @ 15V, 100A
전류 - 콜렉터 차단(최대)	100 µA
입력 정전 용량(Cies) @ Vce	6.6 nF @ 30 V
입력	표준
NTC 서미스터	없음
작동 온도	175°C(TJ)
실장 유형	섀시 실장
패키지/케이스	EMIPAK-2B
공급 장치 패키지	EMIPAK-2B
기준 제품 번호	ETF150