TK4A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage | 이산 반도체 제품

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사용 가능한 대체품:

직접

TK6A65D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

재고 있음: 4

단가 : ₩3,869.00000

규격서

유사

AOTF7N65

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

재고 있음: 0

단가 : ₩847.43400

규격서

유사

AOTF7N70

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

재고 있음: 0

단가 : ₩862.55400

규격서

유사

FDPF4N60NZ

onsemi

재고 있음: 0

단가 : ₩0.00000

규격서

유사

FQPF6N80C

onsemi

재고 있음: 0

단가 : ₩0.00000

규격서

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TK4A65DA(STA4,Q,M)
DigiKey 제품 번호	TK4A65DA(STA4QM)-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK4A65DA(STA4,Q,M)
제품 요약	MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 3.5A(Ta) 35W(Tc) 스루홀 TO-220SIS
EDA/CAD 모델	TK4A65DA(STA4,Q,M) 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	π-MOSVII
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	3.5A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	1.9옴 @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4.4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	600 pF @ 25 V
FET 특징	-
내전력(최대)	35W(Tc)
작동 온도	150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-220SIS
패키지/케이스	TO-220-3 풀팩(Full Pack)
기준 제품 번호	TK4A65

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