Name: RN4611(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN4611(TE85LF)TR-ND
Price: 125.81 KRW
Availability: OutOfStock

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유사

DMG264050R

Panasonic Industry

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유사

PUMD4,115

Nexperia USA Inc.

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단가 : ₩321.00000

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트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이, 프리 바이어스드 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) 50V 100mA 200MHz 300mW 표면 실장 SM6

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RN4611(TE85L,F)
DigiKey 제품 번호	RN4611(TE85LF)TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	RN4611(TE85L,F)
제품 요약	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SM6
제조업체 표준 리드 타임	52주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이 프리 바이어스드 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) 50V 100mA 200MHz 300mW 표면 실장 SM6
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	RN4611(TE85L,F) 모델

제품 특성

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Category 이산 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 트랜지스터 어레이, 사전 바이어싱	Vce 포화(최대) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	전류 - 콜렉터 차단(최대) 100nA(ICBO)
포장 테이프 및 릴(TR)	주파수 - 트랜지션 200MHz
부품 현황 활성	전력 - 최대 300mW
트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)	실장 유형 표면 실장
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 100mA	패키지/케이스 SC-74, SOT-457
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) 50V	공급 장치 패키지 SM6
저항기 - 베이스(R1) 10k옴	기준 제품 번호 RN4611
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V