Name: RN2906FE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN2906FE(TE85LF)TR-ND
Price: 461 KRW
Availability: InStock

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RN2906FE(TE85L,F)
DigiKey 제품 번호	RN2906FE(TE85LF)TR-ND - 테이프 및 릴(TR) RN2906FE(TE85LF)CT-ND - 컷 테이프(CT)
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	RN2906FE(TE85L,F)
제품 요약	TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
고객 참조 번호
제품 세부 정보	트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이 프리 바이어스드 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) 50V 100mA 200MHz 100mW 표면 실장 ES6
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	RN2906FE(TE85L,F) 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 트랜지스터 어레이, 사전 바이어싱
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT)
부품 현황	활성
트랜지스터 유형	2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)	100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)	50V
저항기 - 베이스(R1)	4.7k옴
저항기 - 방출기 베이스(R2)	47k옴
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)	100nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션	200MHz
전력 - 최대	100mW
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지	ES6
기준 제품 번호	RN2906