Name: RN2109ACT(TPL3)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN2109ACT(TPL3)CT-ND
Price: 479 KRW
Availability: InStock

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RN2109ACT(TPL3)
DigiKey 제품 번호	RN2109ACT(TPL3)CT-ND - 컷 테이프(CT)
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	RN2109ACT(TPL3)
제품 요약	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
고객 참조 번호
제품 세부 정보	트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 프리 바이어스드 PNP - 사전 바이어스됨 50 V 80 mA 100 mW 표면 실장 CST3

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 단일, 사전 바이어싱 양극 트랜지스터
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	-
포장	컷 테이프(CT)
부품 현황	활성
트랜지스터 유형	PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)	80 mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)	50 V
저항기 포함	R1 및 R2
저항기 - 베이스(R1)	47 kOhms
저항기 - 방출기 베이스(R2)	22 kOhms
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	70 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic	150mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)	500nA
전력 - 최대	100 mW
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	SC-101, SOT-883
공급 장치 패키지	CST3
기준 제품 번호	RN2109

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