Name: RN1130MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1130MFVL3FTR-ND
Price: 306 KRW
Availability: InStock

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RN1130MFV,L3F
DigiKey 제품 번호	RN1130MFVL3FTR-ND - 테이프 및 릴(TR) RN1130MFVL3FCT-ND - 컷 테이프(CT) RN1130MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	RN1130MFV,L3F
제품 요약	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
제조업체 표준 리드 타임	12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 프리 바이어스드 NPN - 사전 바이어스됨 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 표면 실장 VESM
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	RN1130MFV,L3F 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 단일, 사전 바이어싱 양극 트랜지스터
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
트랜지스터 유형	NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)	100 mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)	50 V
저항기 포함	R1 및 R2
저항기 - 베이스(R1)	100 kOhms
저항기 - 방출기 베이스(R2)	100 kOhms
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)	500nA
주파수 - 트랜지션	250 MHz
전력 - 최대	150 mW
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	SOT-723
공급 장치 패키지	VESM
기준 제품 번호	RN1130

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