Name: RN1117MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-RN1117MFV,L3FTR-ND
Price: 260 KRW
Availability: InStock

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RN1117MFV,L3F
DigiKey 제품 번호	264-RN1117MFV,L3FTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 264-RN1117MFV,L3FCT-ND - 컷 테이프(CT) 264-RN1117MFV,L3FDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	RN1117MFV,L3F
제품 요약	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
제조업체 표준 리드 타임	12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 프리 바이어스드 NPN - 사전 바이어스됨 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 표면 실장 VESM
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	RN1117MFV,L3F 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 단일, 사전 바이어싱 양극 트랜지스터	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	Vce 포화(최대) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	전류 - 콜렉터 차단(최대) 500nA
부품 현황 활성	주파수 - 트랜지션 250 MHz
트랜지스터 유형 NPN - 사전 바이어스됨	전력 - 최대 150 mW
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 100 mA	실장 유형 표면 실장
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) 50 V	패키지/케이스 SOT-723
저항기 포함 R1 및 R2	공급 장치 패키지 VESM
저항기 - 베이스(R1) 10 kOhms	기준 제품 번호 RN1117
저항기 - 방출기 베이스(R2) 4.7 kOhms

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테이프 및 릴(TR)

제조업체 표준 포장

RN1117MFV,L3F