MT3S111TU,LF은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 2,553
단가 : ₩352.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 22
단가 : ₩734.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 7,287
단가 : ₩810.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 2,502
단가 : ₩795.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 6,570
단가 : ₩795.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 30,004
단가 : ₩1,208.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 2,520
단가 : ₩1,070.00000
규격서

유사


MCC (Micro Commercial Components)
재고 있음: 548
단가 : ₩153.00000
규격서

유사


MACOM Technology Solutions
재고 있음: 0
단가 : ₩308,420.11667
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 9,017
단가 : ₩734.00000
규격서
RF 트랜지스터 NPN 6V 100mA 10GHz 800mW 표면 실장 UFM
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MT3S111TU,LF

DigiKey 제품 번호
MT3S111TULFTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
MT3S111TULFCT-ND - 컷 테이프(CT)
MT3S111TULFDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체
제조업체 제품 번호
MT3S111TU,LF
제품 요약
RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
고객 참조 번호
제품 세부 정보
RF 트랜지스터 NPN 6V 100mA 10GHz 800mW 표면 실장 UFM
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Toshiba Semiconductor and Storage
계열
-
포장
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
부품 현황
단종
트랜지스터 유형
NPN
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
6V
주파수 - 트랜지션
10GHz
잡음 지수(dB 통상 @ f)
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득
12.5dB
전력 - 최대
800mW
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
100mA
작동 온도
150°C(TJ)
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
3-SMD, 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지
UFM
기준 제품 번호
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단종
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