MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | 양극 RF 트랜지스터

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MT3S111(TE85L,F)
DigiKey 제품 번호	MT3S111(TE85LF)TR-ND - 테이프 및 릴(TR) MT3S111(TE85LF)CT-ND - 컷 테이프(CT) MT3S111(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	MT3S111(TE85L,F)
제품 요약	RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
고객 참조 번호
제품 세부 정보	RF 트랜지스터 NPN 6V 100mA 11.5GHz 700mW 표면 실장 S-Mini
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	단종
트랜지스터 유형	NPN
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)	6V
주파수 - 트랜지션	11.5GHz
잡음 지수(dB 통상 @ f)	1.2dB @ 1GHz
이득	12dB
전력 - 최대	700mW
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)	100mA
작동 온도	150°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지	S-Mini
기준 제품 번호	MT3S111

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