Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 9733 KRW
Availability: InStock

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GT50JR22(STA1,E,S)
DigiKey 제품 번호	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	GT50JR22(STA1,E,S)
제품 요약	IGBT 600V 50A TO-3P
제조업체 표준 리드 타임	12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	IGBT 600 V 50 A 230 W 스루홀 TO-3P(N)
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 IGBT 단일 IGBT
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	-
포장	튜브
부품 현황	활성
IGBT 유형	-
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)	600 V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)	50 A
전류 - 콜렉터 펄스(Icm)	100 A
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 50A
전력 - 최대	230 W
스위칭 에너지	-
입력 유형	표준
Td(on/off) @ 25°C	-
테스트 조건	-
작동 온도	175°C(TJ)
실장 유형	스루홀
패키지/케이스	TO-3P-3, SC-65-3
공급 장치 패키지	TO-3P(N)