Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 10931 KRW
Availability: InStock

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GT50JR22(STA1,E,S)
DigiKey 제품 번호	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	GT50JR22(STA1,E,S)
제품 요약	IGBT 600V 50A TO-3P
제조업체 표준 리드 타임	12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	IGBT 600 V 50 A 230 W 스루홀 TO-3P(N)
규격서	규격서

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 IGBT 단일 IGBT	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	전력 - 최대 230 W
포장 튜브	입력 유형 표준
부품 현황 활성	작동 온도 175°C(TJ)
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) 600 V	실장 유형 스루홀
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 50 A	패키지/케이스 TO-3P-3, SC-65-3
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) 100 A	공급 장치 패키지 TO-3P(N)

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추가 리소스

대체품(2)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IXXH30N60B3D1	IXYS	510	IXXH30N60B3D1-ND	₩12,903.00000	유사
IXXH30N60C3D1	IXYS	546	IXXH30N60C3D1-ND	₩12,934.00000	유사

재고: 18

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수량

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튜브

수량	단가	총액
1	₩10,931.00000	₩10,931
25	₩6,418.52000	₩160,463
100	₩5,343.46000	₩534,346
500	₩4,483.51200	₩2,241,756
1,000	₩4,207.53300	₩4,207,533
2,000	₩4,175.53500	₩8,351,070