DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage | 회로 보호

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DF10G6M4N,LF
DigiKey 제품 번호	DF10G6M4NLFTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	DF10G6M4N,LF
제품 요약	TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
고객 참조 번호
제품 세부 정보	25V 클램프 2A(8/20µs) Ipp TVS - 다이오드 표면 실장 10-DFN(2.5x1)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	DF10G6M4N,LF 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	회로 보호 과도 전압 억제기(TVS) TVS 다이오드
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
유형	제너
양방향 채널	4
전압 - 역 스탠드오프(통상)	5.5V(최대)
전압 - 항복(최소)	5.6V
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp	25V
전류 - 피크 펄스(10/1000µs)	2A(8/20µs)
전력 - 피크 펄스	30W
전력선 보호	없음
응용 분야	범용
정전 용량 @ 주파수	0.2pF @ 1MHz
작동 온도	-
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	10-UFDFN
공급 장치 패키지	10-DFN(2.5x1)
기준 제품 번호	DF10