트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 PNP 100 V 2 A 120MHz 800 mW 표면 실장 SOT-223(TO-261)
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NSS1C200MZ4T3G

DigiKey 제품 번호
2156-NSS1C200MZ4T3G-488-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
NSS1C200MZ4T3G
제품 요약
TRANS PNP 100V 2A SOT223
고객 참조 번호
제품 세부 정보
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 PNP 100 V 2 A 120MHz 800 mW 표면 실장 SOT-223(TO-261)
규격서
 규격서
제품 특성
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종류
전류 - 콜렉터 차단(최대)
100nA(ICBO)
제조업체
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 2V
포장
벌크
전력 - 최대
800 mW
부품 현황
활성
주파수 - 트랜지션
120MHz
트랜지스터 유형
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
2 A
실장 유형
표면 실장
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
100 V
패키지/케이스
TO-261-4, TO-261AA
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic
220mV @ 200mA, 2A
공급 장치 패키지
SOT-223(TO-261)
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
재고: 1,694
취소 불가/반품 불가
MARKETPLACE 제품
Rochester Electronics LLC에서 약 10일 후에 발송 예정
별도의 균일 배송 비용(₩141,120)이 부과됨
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벌크:1694
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벌크
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