Name: HIP2100IBZ
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: HIP2100IBZ-ND
Price: 9066 KRW
Availability: InStock

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HIP2100IBZ
DigiKey 제품 번호	HIP2100IBZ-ND
제조업체	Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호	HIP2100IBZ
제품 요약	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
제조업체 표준 리드 타임	26주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	하프브리지 게이트 구동기 IC 비반전 8-SOIC
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	HIP2100IBZ 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	집적 회로(IC) 전력 관리(PMIC) 게이트 구동기
제조업체	Renesas Electronics Corporation
계열	-
포장	튜브
부품 현황	활성
DigiKey 프로그래밍 가능	검증되지 않음
구동 구성	하프브리지
채널 유형	독립적
구동기 개수	2
게이트 유형	MOSFET(N-채널)
전압 - 공급	9V ~ 14V
논리 전압 - VIL, VIH	4V, 7V
전류 - 피크 출력(소스, 싱크)	2A, 2A
입력 유형	비반전
하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩)	114 V
상승/하강 시간(통상)	10ns, 10ns
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
공급 장치 패키지	8-SOIC
기준 제품 번호	HIP2100

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