트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드 PNP - 사전 바이어스됨 50 V 100 mA 246 mW 표면 실장 SOT-23-3(TO-236)
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NSVMMUN2130LT1G

DigiKey 제품 번호
488-NSVMMUN2130LT1G-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
NSVMMUN2130LT1G
제품 요약
PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR (
고객 참조 번호
제품 세부 정보
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 프리 바이어스드 PNP - 사전 바이어스됨 50 V 100 mA 246 mW 표면 실장 SOT-23-3(TO-236)
규격서
 규격서
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
제조업체
onsemi
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 10mA
포장
벌크
전류 - 콜렉터 차단(최대)
500nA
부품 현황
활성
전력 - 최대
246 mW
트랜지스터 유형
PNP - 사전 바이어스됨
등급
자동차
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
100 mA
인증
AEC-Q101
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
50 V
실장 유형
표면 실장
저항기 포함
R1 및 R2
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
저항기 - 베이스(R1)
1 kOhms
공급 장치 패키지
SOT-23-3(TO-236)
저항기 - 방출기 베이스(R2)
1 kOhms
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
재고: 0
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벌크
수량 단가 총액
3,000₩31.82467₩95,474