FDS8960C onsemi | 이산 반도체 제품

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	onsemi
계열	PowerTrench®
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	N 및 P 채널
FET 특징	논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)	35V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	7A, 5A
Rds On(최대) @ Id, Vgs	24m옴 @ 7A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	7.7nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	570pF @ 15V
전력 - 최대	900mW
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
공급 장치 패키지	8-SOIC
기준 제품 번호	FDS89