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등가 파라미터


Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 899
단가 : ₩489.00000
규격서

등가 파라미터


Nexperia USA Inc.
재고 있음: 2,888
단가 : ₩382.00000
규격서
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 NPN 50 V 150 mA 80MHz 200 mW 표면 실장 SC-59
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트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 NPN 50 V 150 mA 80MHz 200 mW 표면 실장 SC-59
SC 59

2SC2712GT1G

DigiKey 제품 번호
488-2SC2712GT1G-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
2SC2712GT1G
제품 요약
TRANS NPN 50V 0.15A SC-59
고객 참조 번호
제품 세부 정보
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 NPN 50 V 150 mA 80MHz 200 mW 표면 실장 SC-59
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
벌크
부품 현황
DigiKey에서 공급 중단
트랜지스터 유형
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
150 mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
50 V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)
100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
전력 - 최대
200 mW
주파수 - 트랜지션
80MHz
작동 온도
150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지
SC-59
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