PBRN123EK,115은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
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Rohm Semiconductor
재고 있음: 1,611,077
단가 : ₩323.00000
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Rohm Semiconductor
재고 있음: 5,385
단가 : ₩338.00000
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Rohm Semiconductor
재고 있음: 8,189
단가 : ₩323.00000
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Rohm Semiconductor
재고 있음: 2,449
단가 : ₩323.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 0
단가 : ₩338.00000
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Rohm Semiconductor
재고 있음: 74,585
단가 : ₩323.00000
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Rohm Semiconductor
재고 있음: 4,089
단가 : ₩794.00000
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Rohm Semiconductor
재고 있음: 81,465
단가 : ₩852.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 2,908
단가 : ₩852.00000
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유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 5,029
단가 : ₩1,014.00000
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Nexperia USA Inc.
재고 있음: 4,884
단가 : ₩529.00000
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Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 9,758
단가 : ₩691.00000
규격서
SOT-23-3
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PBRN123EK,115

DigiKey 제품 번호
PBRN123EK,115-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
PBRN123EK,115
제품 요약
TRANS PREBIAS NPN 40V 0.6A SMT3
고객 참조 번호
제품 세부 정보
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 프리 바이어스드 NPN - 사전 바이어스됨 40 V 600 mA 250 mW 표면 실장 SMT3; MPAK
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
NXP USA Inc.
계열
-
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
단종
트랜지스터 유형
NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
600 mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
40 V
저항기 포함
R1 및 R2
저항기 - 베이스(R1)
2.2 kOhms
저항기 - 방출기 베이스(R2)
2.2 kOhms
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
280 @ 300mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic
1.15V @ 8mA, 800mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)
500nA
전력 - 최대
250 mW
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지
SMT3; MPAK
기준 제품 번호
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단종
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