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종류 | 전압 - 차단(VGS off) @ Id 1 V @ 10 µA |
제조업체 InterFET | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 4pF @ 10V |
계열 | 저항 - RDS(On) 330 Ohms |
포장 스트립 | 전력 - 최대 350 mW |
부품 현황 활성 | 작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ) |
FET 유형 N채널 | 실장 유형 표면 실장 |
드레인 - 소스 전압(Vdss) 50 V | 패키지/케이스 SOT-23-3 |
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) 3 mA @ 5 V | 공급 장치 패키지 SOT-23-3 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 5 | ₩2,293.20000 | ₩11,466 |
| 20 | ₩1,284.05000 | ₩25,681 |
| 500 | ₩873.18000 | ₩436,590 |
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